搜索到3517篇“ 双极器件“的相关文章
- 一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法
- 本发明公开一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法，步骤为：1)在衬底上形成A个埋层区和多个隔离区。2)形成场区。3)形成第一基区和第二基区。4)利用掩膜图形刻蚀第一栅氧层，再次氧化生长第二栅氧层和第三栅氧层，形成厚薄...
- 林成鹏刘青刘建甘和红税国华阚玲杨法明李光波龚榜华陆泽灼殷万军张金龙
- 一种基于键合工艺的互补双极器件结构
- 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件结构，属于微机械电子领域。它包括衬底和位于衬底上的基层；基层表面设有介质层，基层中设有隔离结构，隔离结构将基层分为第一区域和第二区域；第一区域中设有N型埋层、P型基区、与N型埋层相...
- 丁继洪 朱纪洋 赵建强 刘中梦雪 朱小燕 陈洁
- 一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法
- 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过在SOI硅片顶层硅上进行注入和退火工艺形成N型和P型埋层，再把顶层硅一面与另一氧化后的硅片键合到一起，通过解键合去除原SOI硅片的衬底硅，这...
- 朱纪洋 丁继洪 赵建强 朱小燕 刘中梦雪 陈洁
- 双极器件及其制作方法
- 本发明提供一种双极器件及其制作方法，所述方法包括：提供SOI衬底，SOI衬底包括由下至上依次排布的顶层硅、埋氧化层与顶层硅，在顶层硅内形成多个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的水平截面呈T型，浅沟槽隔离结构包括横向隔离结构...
- 汪涛祝强韬孔凡友王鹏鹏张宏光
- 双极器件及其制作方法
- 本发明提供一种双极器件及其制作方法，所述方法包括：提供SOI衬底，SOI衬底包括由下至上依次排布的顶层硅、埋氧化层与顶层硅，在顶层硅内形成多个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的水平截面呈T型，浅沟槽隔离结构包括横向隔离结构...
- 汪涛祝强韬孔凡友王鹏鹏张宏光
- 一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法
- 本发明涉及一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法，包括抽取甄别样品、烘烤样品及筛选，样品按组分别实施高辐照剂量率辐照试验、测试辐照样品辐照前后的电学特性，确定辐射敏感参数、低剂量率辐射损伤增强效应甄别。本发明在辐...
- 马武英欧阳晓平缑石龙薛院院何宝平
- 基于多晶硅加热的双极器件及其电离辐射损伤修复方法
- 本发明涉及基于多晶硅加热的双极器件，包括钝化层、氧化层、Si衬底、多晶硅，层片状结构，多晶硅位于钝化层、氧化层之间。也涉及基于多晶硅加热的双极器件的制备方法，包括版图设计、仿真、流片、测试过程。还涉及基于多晶硅加热的双极...
- 马武英欧阳晓平郭红霞缑石龙何宝平
- 双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统
- 本发明公开了一种双极器件低剂量率辐照损伤升温匹配加速测试方法及系统，测试方法包括获得在空间工作偏置和工作温度下、不同电离辐照剂量率下双极器件电流增益倒数变化随辐照总剂量的变化数据；根据以上得到的变化数据获得目标低剂量率下...
- 宋宇曾华秋
- 本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
- 2024年
- 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。
- 葛超洋杨强李燕妃孙家林李燕妃
- 关键词：双极器件BCD工艺
- 基于氧化层电偶极子的双极器件抗低剂量率辐照加固方法
- 本发明公开了基于氧化层电偶极子的双极器件抗低剂量率辐照加固方法，包括：步骤一、在工作偏置下，对对照组双极器件进行低剂量率辐照，测试其电流增益倒数变化随总剂量的变化规律；步骤二、在负偏置下，对测试组双极器件进行高剂量率辐照...
- 宋宇曾华秋
相关作者
- 胡辉勇
- 作品数：471被引量：196H指数：7
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 张鹤鸣
- 作品数：478被引量：272H指数：9
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 宣荣喜
- 作品数：334被引量：88H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 宋建军
- 作品数：362被引量：110H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 郝跃
- 作品数：2,547被引量：1,223H指数：13
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
