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一种基于双极集成电路的复合钝化层的制作方法
本发明公开了一种基于双极集成电路的复合钝化层的制作方法，包括步骤：于衬底上制作介质层，并曝光显影所述介质层；制作第一氮化硅层，使用曝光所述介质层的掩膜板，显影所述第一氮化硅层；于所述第一氮化硅层上布线并形成金属层，所述金...
刘向宇缪文华
一种基于双极集成电路工艺平台的晶闸管集成技术
本发明公开了一种基于双极集成电路工艺平台的晶闸管集成技术，涉及微电子领域，属于半导体集成电路技术。本发明利用现有双极工艺平台中的埋层、埋硼、隔离、基区、发射区等几个工艺步骤，在结构上形成晶闸管的PNPN四个区域，再将电极...
徐晓慧冯涛
一种双极集成电路的隔离结构及隔离结构的形成方法
本发明公开了一种双极集成电路的隔离结构，其包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料。所述环氧树脂隔离材料可以为光敏环氧树脂隔离材料或非光敏环氧树脂隔离材料。本发明还公开了该双极集成电路的隔离结构...
黄平
文献传递
一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
本发明公开了一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层、第一铜片、塑料体、凹陷槽、固定孔、固定底板、LOGO标志、第二铜片、线路表面保护层、焊盘、芯片源电极、芯片栅电极、芯片表面保护层、线路层、金属线、集成电...
周元忠冯方舟仲昊
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一种双极集成电路的隔离结构及隔离结构的形成方法
本发明公开了一种双极集成电路的隔离结构，其包括成型在集成电路隔离区的深槽和填充在所述深槽内的环氧树脂隔离材料。所述环氧树脂隔离材料可以为光敏环氧树脂隔离材料或非光敏环氧树脂隔离材料。本发明还公开了该双极集成电路的隔离结构...
黄平
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一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
本发明公开了一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括隔层、第一铜片、塑料体、凹陷槽、固定孔、固定底板、LOGO标志、第二铜片、线路表面保护层、焊盘、芯片源电极、芯片栅电极、芯片表面保护层、线路层、金属线、集成电...
周元忠冯方舟仲昊
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一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
本实用新型公开了一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片，其结构包括基准口、上封装板、导向孔、隔离板、下封装板、VCC引脚、GND引脚、RST接入引脚、XTAL接入引脚、XTAL接入引脚、PSEN接入引脚、输出引脚、备用输...
李培林
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一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺，属于集成电路设计/制造领域，所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤，采用上述生产工艺制得的基于沟...
鄢细根杨振张晓新朱国夫余庆廖洪志赵铝虎潘国刚黄少南
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一种改善双极集成电路放大系数的工艺技术
2016年
为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点，对此类电路的工艺现状进行分析并对工艺途径进行优化改善，在淀积氮化硅工艺前增加预刻孔工艺，释放氮化硅介质薄膜应力，使其与双极电路的特性相匹配，有效预防PNP管放大系数的衰减，提高了PNP管放大系数的稳定性。
简崇玺姜楠周福虎高博
关键词：双极电路PNP管应力
互补双极集成电路(CBIC)工艺平台的开发及仿真设计
随着科技的不断发展进步，很多电子系统中对集成运算放大器速度、带宽以及更小能耗都提出了更高的性能要求而互补双极模拟电路工艺满足这些要求的新高速宽带集成运算放大器最佳选择。互补双极工艺能在同一芯片上获得具有极小寄生电容的高频...
张欣慰
关键词：集成电路互补双极工艺
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尹洪剑
作品数：39被引量：22H指数：2
供职机构：重庆电子工程职业学院
研究主题：发射极 集电区 光电检测电路 港口 光电探测器
王祖军
作品数：135被引量：267H指数：11
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 CMOS图像传感器 CCD 辐照 电荷耦合器件
肖志刚
作品数：182被引量：297H指数：9
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：U CCD 中子 电荷耦合器件 核温度
叶润涛
作品数：24被引量：19H指数：2
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系
研究主题：场控晶闸管 晶闸管 功率器件 集成电路 开关电源
曾莉
作品数：9被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：硼 集成电路工艺 离子注入 双极集成电路 模拟集成电路