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可再生的场致发射电子源实现方法、系统、介质及设备: 本发明提供了一种可再生的场致发射电子源实现方法、系统、介质及设备，通过冻结泰勒锥的方式，在离子发射过程中将液态金属离子源的发射极上的液态金属泰勒锥冻结在发射极顶端成为固态泰勒锥，冻结完成后使偏置电压极性反转即可通过冻结的...; 康小明孙逸鸣邓涵文程龙

碳化硅场致发射阵列制备方法及真空管: 本发明涉及电子器件领域，提供一种碳化硅场致发射阵列制备方法及真空管。碳化硅场致发射阵列制备方法包括：置备碳化硅基底、掩膜材料和纳米模板；将纳米模板设置于碳化硅基底待形成发射单柱的表面，纳米模板设有用于定义发射单柱的尺寸和...; 周明李旭胤李文明徐夕媚杨名扬

场致发射电子源及其制造方法和使用该制造方法的电子束装置: 提高将六硼化物单晶、过渡金属碳化物单晶的(100)面用作电子发射面的场致发射电子源的放射角电流密度相对于总电流的比率，提高电流稳定性。在构成电子源的<100>轴的六硼化物单晶或过渡金属碳化物单晶的针尖的前端形...; 楠敏明桥诘富博荒井纪明福田真大

获得场致发射电流的方法及试验装置: 一种获得场致发射电流的方法及试验装置，包括击穿电压测量装置，所述的击穿电压测量装置由分压器测量真空灭弧室试品两端电压，击穿电压测量装置所得到的回路电流由真空灭弧室试品玻璃外壳泄漏电流、位移电流和场致发射电流组成，其中泄露...; 李世民杨威杜昭启江希茜李镇廷张潮海

基于OPERA的纳米线电子场致发射仿真实验: 2024年; 以氧化锌纳米线作为研究对象,探究纳米线电子场致发射的影响因素,提出了一套完整的虚拟仿真实验方案。该实验利用计算机仿真模拟软件OPERA-3D对氧化锌纳米线结构进行建模,重点研究纳米线长径比、栅压、阴-栅间距以及纳米线阵列密度等因素对场致发射电流的影响及其作用机制。实验表明,纳米线的长径比和阴-栅距离是影响其场致发射性能的重要参数,同时合理控制纳米线阵列密度,可以有效降低场屏蔽效应的影响。通过该仿真实验,学生可以深入理解纳米线电子场致发射的基本原理和电子光学理论,提高实践动手能力培养科研思维,为其今后的学习打下坚实的基础。; 祁康成青可欣黄煜程; 关键词：纳米线场致发射发射电流

中子管用多栅极碳纳米管场致发射离子源研究: 中子技术广泛应用于科研与工业生产中,多种不同中子源也随之发展诞生。中子管作为一种小型加速器中子源,其结构紧凑、体积小、中子能量分布集中、可随时开启关闭,这些优点使中子管拥有相比其他中子源更为广泛的应用场景,特别是石油测井...; 张鹏程; 关键词：中子管场致发射碳纳米管

一种场致发射推力器羽流区域的电流密度分布测量方法: 本发明提供一种场致发射推力器羽流区域的电流密度分布测量方法，所述的方法采用测量系统实现，系统包括圆形收集板、移动平台、示波器，圆形收集板设置在移动平台上，圆形收集板通过导线与示波器连接；示波器与PC端连接。本发明利用移动...; 沈岩李俊林

一步TCVD法制备大面积碳纳米管冷阴极及其场致发射性能研究: 2024年; 本文提出一步热化学气相沉积法(TCVD)热解二茂铁,并直接在硅衬底上制备大面积(1 cm^(2))、高质量碳纳米管(CNTs)场致发射冷阴极阵列的制备工艺.通过调控二茂铁的热解温度(650~1000℃),获得了最佳的二茂铁的碳转化效率以及高结晶度的碳纳米管阵列.研究了不同热解温度下制备的碳纳米管微观形貌及其对场致发射性能的影响机制.场致发射实验测试表明在热解温度850℃条件下制备的碳纳米管冷阴极其开启电场(10μA/cm^(2))和阈值电场(1 mA/cm^(2))分别为1.32 V/μm和2.64 V/μm,最大电流密度为14.51 mA/cm^(2),对应的场增强因子为13267,表现出良好的场发射性能.本文提出的一步制备碳纳米管冷阴极阵列的制备方法无需任何蚀刻气体或光刻图案工艺,该方法安全、经济、可重复性好,在碳纳米管场发射冷阴极领域具有广阔的应用前景.; 孙泽奇王辉张远鹏唐永亮吕文梅刘庆想欧凯夏钰东张彦博薛嫱; 关键词：碳纳米管化学气相沉积法二茂铁热解温度场致发射

一种磁聚焦场致发射微电推进装置: 本申请揭示了一种磁聚焦场致发射微电推进装置，包括推进剂存储腔、支撑连接结构、绝缘基底、发射极、绝缘支撑结构、栅极和环形磁铁，支撑连接结构安装于推进剂存储腔的输出端，发射极通过绝缘基底安装于支撑连接结构上，支撑连接结构、绝...; 罗杨高辉王东魏季朦王忠晶许诺

一种碳纳米管场致发射电子源组件: 本实用新型提供一种碳纳米管场致发射电子源组件，包括陶瓷底座、阳极接线柱、钢珠、固定座、阴极接线柱、固定卡头以及挤压板，陶瓷底座内部设置有阳极接线柱，阳极接线柱内部滑动设置有钢珠，阳极接线柱上端面卡装有固定座，陶瓷底座内部...; 王小莉

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