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用于在高温下操作的量子激光器及其附加电子抑制层
实施例可以涉及用于在高温下操作的量子(MQW)激光器,包括:至少一个量子,所述至少一个量子由与拉伸应变InGaAlAs层交替堆叠的压缩应变InGaAlAs层制成;所述至少一个量子的一侧由InP的n掺杂包层围绕并...
P·杜西耶
使用单片集成量子激光器和相位调制器的光电振荡器
可调谐激光器(100)被配置为产生处于经调谐的波长处的模光信号(160)。激光器(100)包括半导体光增益区域(110)、反馈区域(130)以及在增益区域和反馈区域之间的相位调制区域(120)。每个区域都可以是单片...
阿贾伊·库马尔·波达尔乌尔里希·L·罗德阿夫申·S·达尤什
使用单片集成量子激光器和相位调制器的光电振荡器
可调谐激光器(100)被配置为产生处于经调谐的波长处的模光信号(160)。激光器(100)包括半导体光增益区域(110)、反馈区域(130)以及在增益区域和反馈区域之间的相位调制区域(120)。每个区域都可以是单片...
阿贾伊·库马尔·波达尔乌尔里希·L·罗德阿夫申·S·达尤什
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半导体量子激光器的电学和光学特性研究
半导体激光器(LD)是当今应用最广泛的激光器,尤以GaN基LD发展迅猛,其电学和光学特性一直以来倍受广大研究学者关注。本文主要分析了宽带隙GaN基量子激光器在阈值附近的特性,并将部分特性与窄带隙GaAs基半导体激光器...
贾凯萍
关键词:半导体激光器速率方程阈值特性
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基于GeSn/SiGeSn材料的应变量子激光器及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSi材料的应变量子激光器及其制作方法,势垒层采用GeSiSn材料;势层采用GeSn材料。赝衬底(Ge)、缓冲层(GeSn)、有源区(GeSn/GeSiSn)在衬底(Si)上依次...
刘艳高曦韩根全郝跃张庆芳
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MOCVD生长AlGaInAs/InP量子激光器被引量:1
2018年
为研制符合高线性大功率的应变量子激光器,文章在理论上计算了应变补偿,实验选用了金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)工艺来研制生长AlGaInAs应变补偿量子结构,最终有源区采用了7组张压应变交替的势垒和势层。激光器样本芯片采用共面电极结构,使得激光器的工作电流无需通过衬底,从而降低了激光器工作电容,其电容与传统激光器相比得到相应地减小,提高了激光器的光电特性。实验室制作出了应变量子激光器样本芯片,光荧光分析得出光致发光谱,激射波长为1 304nm;阈值电流为Ith≤9mA;单面斜率效率为0.44 W/A。测试结果表明该器件有良好的性能参数。
朱天雄贾华宇李灯熬罗飚刘应军
关键词:激光器
1.31μm AlGaInAs/InP量子激光器设计及其温度特性被引量:1
2018年
为了优化适用于长距离的光纤通讯系统的1.31μm波长的量子激光器,采用AlGaInAs/InP材料设计应变量子激光器,选取合适的量子个数、合适的应变量,并研究其温度特性。采用载流子和光分别限制的梯度折射率波导(GRIN-SCH)结构设计了量子结构,采用BCB(苯并环丁烯)材料平面化脊波导结构,使用E-beam曝光技术和低损伤ICP干法刻蚀技术制作非对称相移光栅,设计了AlGaInAs/InP应变量子激光器。使用ALDS激光器材料和结构设计软件包,选取了最佳量子个数,在此基础上,通过实验对比引入合适的应变量,并选取最佳温度。仿真及实验结果表明,在量子个数为10时达到最佳量子个数;有源区由1.3%的压应变AlGaInAs层和0.6%的张应变AlGaInAs垒层构成时,温度在25℃时,激光器发光特性得到优化。
任大为贾华宇赵霞飞李灯熬汤宝罗飚
关键词:温度特性
AlGaInAs/InP应变补偿量子激光器被引量:1
2017年
为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子激光器进行了设计研究。采用应变补偿的方法,根据克龙尼克-潘纳模型理论计算出量子的能带结构,设计出有源区由1.12%的压应变AlGaInAs层和0.4%的张应变AlGaInAs垒层构成。使用ALDS软件对所设计出的器件进行了建模仿真,对其进行了阈值分析和稳态分析。结果表明,在室温25℃下,该激光器具有9mA的低阈值电流和0.4W/A较高的单面斜率效率;在势垒层采用与势层应变相反的适当应变,可以降低生长过程中的平均应变量,保证有源区良好的生长,改善量子结构的能带结构,提高对载流子的限制能力,降低阈值电流,提高饱和功率,改善器件的性能。
朱天雄贾华宇李灯熬罗飚刘应军田彦婷
关键词:激光器量子阱结构
高线性大功率量子激光器的研究
近年来互联网流量大幅度增加,同时增加的是对信息高速传输的要求,半导体激光器被广泛应用于通信领域,并且被拓展到军事安全反导,医疗器械,生物工程,工业制件等方面。本文主要对信息技术领域的宽带模拟通信用光收发阵列芯片与模块中的...
尹晋宏
关键词:量子阱激光器直接调制阈值电流
AlGaInAs/InP量子激光器量子数的优化被引量:1
2017年
为了研制符合"国家863"项目要求的,满足高线性大功率直接调制应变量子半导体激光器,对AlGaInAs/InP应变量子激光器的有源区的量子数及芯片生长工艺进行了研究。根据求解速率方程组、计算载流子浓度分布,分析瞬态过程和稳态过程,得出理论最优数,再在最优数下对比不同温度下的激光器的各项性能指标,得出最佳温度值。基于ALDS软件模拟建立了AlGaInAs/InP仿真模型,模拟结构输入、材料求解、阈值分析、性能计算等。讨论了不同量子个数、不同温度对器件稳态、大小信号、噪声等的影响。结果表明,当组分为Al_(0.24)Ga_(0.23)In_(0.53)As,宽为3.3nm,垒宽为8.1nm,数为10,温度为25℃,本激光器各项性能指标均为最优,阈值电流达13.40mA,输出功率为5.6mW。
尹晋宏贾华宇李灯熬罗飚刘应军
关键词:多量子阱激光器

相关作者

陈良惠
作品数:294被引量:444H指数:9
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 光子晶体 垂直腔面发射激光器 激光器 量子阱激光器
李灯熬
作品数:399被引量:155H指数:6
供职机构:太原理工大学
研究主题:标签 J波 存储介质 无线传感器网络 阅读器
贾华宇
作品数:53被引量:61H指数:6
供职机构:太原理工大学
研究主题:激光器 流水线模数转换器 控制器 多量子阱激光器 电流模
刘式墉
作品数:327被引量:582H指数:12
供职机构:吉林大学
研究主题:有机电致发光器件 激光器 OLED 有机电致发光 掺杂
彭宇恒
作品数:20被引量:18H指数:3
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院
研究主题:激光器 超晶格 多量子阱激光器 INGAAS P