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- 朱秀梅杨程裘俊庆王毅
- SiC器件四电平分裂逆变器低开关损耗调制方法及系统
- 本发明属于电力电子技术领域，本发明涉及一种SiC器件四电平分裂逆变器低开关损耗调制方法及系统，根据i相原始正弦调制波和由三相原始正弦调制波生成叠加信号得到i相最终调制波；根据i相最终调制波的大小、i相最终调制波、直流母线...
- 严庆增秦彦彦邢成建刘晔孙百强何金奎宋曙光王淼
- 一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统
- 本发明公开了一种基于半软开关调制技术的开关损耗评估方法及系统，涉及信息技术领域。本发明获取器件的寄生电感参数和缓冲电容参数，建立谐振电路工作模型，通过求解模型得到初始电压波形和初始电流波形，并计算对应的电压应力和电流应力...
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- 一种低开关损耗宽电压输出范围的三相谐振极型逆变器
- 本专利涉及逆变器技术领域，具体的说是涉及一种低开关损耗宽电压输出范围的三相谐振极型逆变器。基于逆变器包括：直流电压源模块，Y型逆变模块，MOSFET控制模块，谐振极型软开关模块，三相负载模块。本专利运用Y型逆变结构，获得...
- 文嘉俊颜景斌赵宇田之韵张超
- 计及开关损耗的永磁同步电机边带声振响应数值仿真与抑制优化
- 2025年
- 以电动汽车驱动用永磁同步电机为研究对象,对不同脉宽调制策略所引入的边带电流谐波与声振响应进行数值仿真分析,并计及开关损耗因素,基于随机性载波频率调制对边带声振响应进行抑制优化。首先,对脉宽调制策略所引入的边带谐波分量与电磁力特性进行理论解析,建立完整的边带声振响应仿真流程与数值预测模型。其次,讨论典型的不连续脉宽调制和随机性载波频率调制策略对边带分量的影响,并理论分析边带电流谐波与声振响应的抑制效果。最后,将所提出的控制策略搭载至实验样机,分别进行数值仿真计算验证、稳态声振测试与驱动控制器损耗测试。结果表明,不连续脉宽调制会恶化边带声振响应,但可以降低开关损耗;随机性载波频率调制可以有效抑制边带电流谐波和声振响应,并且对开关损耗没有显著影响。
- 邱子桢张维王芳王芳黄炘
- 关键词：永磁同步电机开关损耗
- 一种储能直流变换器的开关损耗优化控制方法和系统
- 本发明公开了一种储能直流变换器的开关损耗优化控制方法和系统。包括：首先，获取储能直流变换器的电池侧电压/电流及母线侧电压/电流；再根据电池侧电压和母线侧电压计算获得得到储能直流变换器两侧的电压比；然后，根据电池侧电压/电...
- 王正仕王越天李勇德崔京军陶鲁博张雨
- 基于神经网络的绝缘栅双极型晶体管开关损耗预测
- 2025年
- 针对级联储能应用领域大量绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开关损耗难以准确在线测量的问题,引入误差反向传播神经网络,建立IGBT开关损耗预测模型。首先采用级联H桥功率模块搭建开关损耗动态测试系统,通过调整直流母线电压、交流电流及冷却液温度,获得大量测试数据;然后将影响IGBT开关损耗的3个主要因素——集射极电压、集电极电流、结温作为预测模型的输入,采用粒子群优化算法优化开关损耗预测模型的初始权值和阈值,以提升预测开通损耗、关断损耗及二极管反向关断损耗的准确度并加速学习规律的收敛;最后与随机给定初始权值及阈值的开关损耗预测模型进行对比分析。结果表明,引入粒子群优化算法所建立的开关损耗预测模型的预测准确度更高,针对50组随机验证数据的最大百分误差为3.3%。
- 王长华李祥雄梁顺发陈荣东
- 关键词：神经网络粒子群优化算法
- 无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统
- 本发明公开了一种无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统，在双脉冲测量方法的基础上，取消电流测量，通过解析电压波形变化特征来得到电流波形。其中漏源电压的测量非常简便，不会对变换器的布局和体积造成影响，且...
- 罗安魏伊杨徐千鸣胡家瑜徐百龙
- 低开关损耗的SGT MOSFET器件
- 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种低开关损耗的SGT MOSFET器件，包括外延层；一体区，体区位于外延层上方；一源区，源区位于体区上方；一沟槽，沟槽位于外延层上并延伸穿过体区和源区，沟槽内的中部具有栅极多晶硅，...
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- 一种低开关损耗型电子变压器
- 本发明公开了本发明提供了一种低开关损耗型电子变压器，涉及电力电子变压器技术领域，包括：通过磁网络连接的原边H桥和副边H桥；所述磁网络由电感和变压器组成；所述变压器与所述电感间在所述原边H桥正向电流方向连接有原边谐振电容；...
- 杨锐雄 陈建福 唐捷 陈勇 曹安瑛 邹国惠 裴星宇 李建标 程旭 刘尧 吴宏远 曹健 黄玥 蔡仲启 凌华保 龚文明 韦甜柳 杨双飞
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