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一种氧化镓薄膜外延方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓薄膜外延方法。该方法包括步骤：在衬底上外延生长GaN薄膜；对GaN薄膜进行表面氧化处理，使表面的GaN薄膜氧化为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缓冲层；对...
陈端阳齐红基杨珍妮
一种棒状氧化镓及其制备方法
本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛...
陈杰岳康伟王之君孙本双何季麟
一种氧化镓n型掺杂方法
本发明公开了一种氧化镓n型掺杂方法，涉及ε相氧化镓的掺杂方法，针对现有技术中掺杂质量差等问题提出本方案。基于有机化学气相沉积法在衬底上依次生长非故意掺杂层和n型掺杂层；所述非故意掺杂层和n型掺杂层均为ε相氧化镓；在生长n...
陈梓敏蔡彬荻王钢
一种氧化镓薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓薄膜及其制备方法，方法包括：将镓源在热乙醇中进行热处理，得到流体镓源；对衬底进行预处理，衬底包括前驱衬底和主衬底；将流体镓源置于预处理后的前驱衬底上，并将前驱衬底和主衬底一同置于化学气相淀积反应腔室...
汪金王瑞薛俊俊智婷
一种丝状纳米氧化镓及其制备方法
本发明属于无机材料制备技术领域，公开了一种丝状纳米氧化镓及其制备方法，用以提出一种新的丝状纳米氧化镓的制备方法。本发明以碳酸氢钠为沉淀剂，通过将其滴加至镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、...
陈杰岳康伟刘苗孙本双何季麟
多孔氧化镓外延层及其制备方法
提供了一种多孔氧化镓外延层的制备方法，其包括：对制备形成的多孔氮化镓外延层进行低温溶液预氧化处理第一预定时间；将经低温溶液预氧化处理后的所述多孔氮化镓外延层加热至预定温度；保持所述预定温度，并在高氧气体氛围以及预定压力下...
潘革波张子昂张少辉周全
一种蜂窝状氧化镓薄膜及其制备方法
本发明公开了一种蜂窝状氧化镓薄膜及其制备方法，该氧化镓薄膜(2)由若干个呈规则排列的正六边形孔洞组成；该制备方法包含如下步骤：步骤1：在衬底(1)上制备二氧化硅薄膜(3)；步骤2：旋涂光刻胶(4)并光刻出图案；步骤3：刻...
祁颂李山唐为华
一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法
本发明公开了一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法。在高温条件下，该方法采用腐蚀性气体对氧化镓多晶进行腐蚀，氧化镓多晶被分解成金属镓、氯化镓和水，并随着尾气一同排出HVPE腔室，达到去除石英件及基座上附着氧化镓多晶的目的。该方...
董增印张力江王英民赖占平程红娟张嵩李贺孙科伟王再恩
一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法
本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金...
王少青刘祥泰王海安程妮妮陈海峰
一种可调节的氧化镓制备清洗装置
本实用新型公开了一种可调节的氧化镓制备清洗装置，包括箱体，还包括调节机构，所述箱体顶部设置有调节机构，所述调节机构包括浸泡腔、冲洗腔、套管、支杆、顶板、连杆和吊篮，所述箱体内部两侧分别开设有浸泡腔和冲洗腔且箱体顶部中间位...
卢鹏荐张威
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作品数：309被引量：32H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 电极 场效应晶体管 肖特基二极管 沟道
冯志红
作品数：691被引量：158H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 金刚石 场效应晶体管 衬底
马晓华
作品数：823被引量：137H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
张进成
作品数：1,015被引量：112H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极