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碳化硅器件及其制作方法
本公开涉及一种碳化硅器件及其制作方法。制作方法包括：提供碳化硅衬底，在碳化硅衬底上形成光刻胶层，并图案化光刻胶层，图案化后的光刻胶层具有第一粗糙度；对图案化后的光刻胶层进行修正处理，修正后的光刻胶层具有第二粗糙度，第二粗...
王士京王兆祥张名瑜王铃沣王昕李俭
一种碳化硅器件及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅器件及其制备方法。本发明通过将金刚石作为衬底在其表面键合碳化硅衬底，并在此基础上生长外延层，再在外延层上制作碳化硅功率器件；在完成晶圆正面工艺步骤后，利用硅通孔工艺技术在金刚石衬底部分开设延伸到金刚...
吴贤勇刘胜北花芯吴冠涛
一种局部介质调制的横向超结碳化硅器件
本发明公开了一种局部介质调制的横向超结碳化硅器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明包括从下至上依次叠设的半导体衬底、埋氧层、碳化硅有源层和金属层，碳化硅有源层包括局部介质区和超结结构，介质区局部覆盖超结结构两侧及小宽度...
姚佳飞朱烨沁孙启胡子伟郭宇锋李曼陈静杨可萌张珺张茂林
碳化硅外延片、制备方法、碳化硅器件及电子设备
本申请实施例提供了一种碳化硅外延片、制备方法、碳化硅器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高碳化硅外延片的性能。该碳化硅外延片包括衬底、缓冲层和漂移层；缓冲层设置在衬底的一侧，并掺杂有氮杂质和等电子杂质；缓冲层中氮杂...
王朋段焕涛胡彬李文
一种十字形碳化硅器件及制备方法
本发明公开了一种十字形碳化硅器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明P‑body区和NP区采用十字形布局结构设计，相较于传统的条型布局，可将器件中沟道区的面积增加20%‑30%，因此可以使通流路径的沟道区密度增加，导致...
王正杨程裘俊庆万胜堂王坤王毅
半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件
本实用新型提供了一种半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件。该半导体器件包括衬底；位于衬底上的多个第一栅极介质层和多个第一栅极导电层，用于构成多个晶体管器件，第一栅极导电层沿着第一方向延伸，多个第一栅极导电层沿着第二...
樊如雪徐承福罗顶韩玉亮
碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统
本申请提供了一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统，该方法由于将高温烘箱的温度调节为预设最高工作结温，并以不断提高直流源模组输出的反向偏压为基准，对测试组不断施加反向偏压，从而实现了高温耐压极限值的测试目的，另外...
金锐伍珈乐陈中圆冉立
待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统
本申请提供了一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统。该方法根据栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系，确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压，从而得以精确地得到判断待测碳化硅器件的栅极氧...
李翠陈中圆金锐崔梅婷
碳化硅器件及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅器件及其制备方法。本发明通过在完成晶圆正面工艺步骤后，利用硅通孔工艺技术在晶圆背面的碳化硅衬底部分开设延伸到衬底内部靠近外延层位置的凹槽，在凹槽内填充铜或者钨，并将晶圆背面凹槽外多余的填充金属磨除，...
吴贤勇刘胜北花芯贺中鹤
基于碳化硅器件的电力电子变压器单元设计
2025年
电力电子变压器(PET)因便于模块化集成、接口灵活丰富而不失为一种变压器的良好替代方案。第3代半导体材料碳化硅(SiC)的发展为PET在中高压领域的应用拓展了道路,同时现场可编程门阵列(FPGA)的快速高精度并行处理和多通道输出为实现变换器简捷精确的控制拓展了可能。本文提出一种PET单元的设计,包括Boost PFC整流单元、对称结构的CLLLC谐振变换单元以及逆变单元。首先对各单元进行理论分析及参数设计,然后通过Matlab/Simulink搭建仿真模型进行验证,最后采用SiC MOSFET搭建CLLLC谐振变换器单元及逆变单元实物。仿真及实验结果表明该单元设计具有可行性,为采用新器件构建PET提供了一种可能。
徐海张雨莹刘祥洋
关键词：电力电子变压器碳化硅现场可编程门阵列
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张玉明
作品数：1,016被引量：452H指数：11
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作品数：4,965被引量：7,038H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
刘新宇
作品数：887被引量：314H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
白云
作品数：160被引量：35H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 外延层
张林
作品数：30被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：碳化硅 芯片 终端结构 碳化硅器件 耐压