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金属单晶
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种
金属
单晶
制备装置
本发明涉及
金属
单晶
制备技术领域,具体为一种
金属
单晶
制备装置,包括:主机座、废气回收组件和
单晶
炉组件,主机座的顶端固定安装有提升轨架,提升轨架的输出端固定连接有运动座,废气回收组件包括废气导箱、驱动盒和攀升架以及固定安装于...
刘佩瀛
杜正强
孙洪留
一种
金属
单晶
制备方法
本申请涉及激光增材制造技术领域的一种
金属
单晶
制备方法,包括:设计
金属
单晶
的尺寸及原位选晶的选晶参数,所述原位选晶采用螺旋型沉积轨迹;提供
金属
基板和
金属
粉末,所述
金属
基板和所述
金属
粉末的成分相同;所述
金属
粉末通过激光定向能...
朱言言
崔卓丹
霍海鑫
王玉岱
程序
汤海波
金属
单晶
薄膜及其制备方法
本发明揭示了一种
金属
单晶
薄膜及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、提供一衬底;S2、将衬底置于超高真空磁控溅射设备中,于真空背景下在所述衬底表面沉积
金属
薄膜;S3、将沉积有
金属
薄膜的衬底通过第一真空管道转移至超高...
崔义
雷浩
魏伟
龚忠苗
王利
张亚宾
张珽
范德瓦尔斯反铁磁
金属
单晶
及其制备方法
本发明公开了一种范德瓦尔斯反铁磁
金属
单晶
及其制备方法,包括:将Fe粉、Co粉、Ge粉和Te粉按配方比混匀后密封装入容器内,并于加热设备中生长得到预烧晶体;将预烧晶体粉碎成粉末后与配方量输运剂混匀并一起密封装入容器内,再于...
王国鹏
胡荣
田明亮
熊奕敏
胡涛
一种
金属
单晶
制备装置
本发明涉及
金属
单晶
制备技术领域,具体为一种
金属
单晶
制备装置,包括:主机座、废气回收组件和
单晶
炉组件,主机座的顶端固定安装有提升轨架,提升轨架的输出端固定连接有运动座,废气回收组件包括废气导箱、驱动盒和攀升架以及固定安装于...
刘佩瀛
杜正强
孙洪留
金属
单晶
制造装置及方法
本发明公开一种
金属
单晶
制造装置,涉及
金属
单晶
制造技术领域,可以包括:基板、焊枪、送丝组件以及移动组件,所述基板上用于形成
金属
单晶
体;所述焊枪设置有多个,全部所述焊枪的分布形态与待制造的
金属
单晶
体形状相匹配;所述送丝组件包...
刘长猛
韩骁
齐江珉
一种特定取向的大规格
金属
单晶
及其制备方法
本发明提供了一种特定取向的大规格
金属
单晶
及其制备方法,属于
单晶
金属
制备技术领域。本发明将
金属
置于底部带有微孔的熔炼模具中进行挤压熔炼,得到
金属
熔体;所述
金属
熔体通过所述熔炼模具底部的微孔进入铸型模具,在
金属
单晶
薄膜的诱导...
刘苗
孙本双
丁振卿
何季麟
朱锦鹏
贵
金属
催化制备外尔半
金属
单晶
材料的方法
本发明涉及一种贵
金属
催化制备外尔半
金属
单晶
材料的方法,将块状
金属
铌箔或钽箔与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物;贵
金属
材料作为催化剂加入到第一混合物中,获得第二混合物;将第二混合物作为反应原料加入到石英管中,将石英管抽真空...
胡章贵
赵博进
邱海龙
孙印昌
霍宗举
一种基于无支撑电弧增材制造的
金属
单晶
制备方法
本发明公开一种基于无支撑电弧增材制造的
金属
单晶
制备方法,包括以下步骤:在增材制造工作台上安装基板;启动焊枪施加低频脉冲电流进行起弧;操控焊枪以预设无支撑弯折或螺旋路径向上移动,同时将加热的丝材送至电弧处;在保护气环境下,...
刘长猛
韩骁
齐江珉
一种过渡
金属
单晶
氧化物前体的制备方法及用该前体制备的
单晶
电极材料
本发明属于电极材料领域,具体涉及一种过渡
金属
单晶
氧化物前体的制备方法及用该前体制备的
单晶
电极材料。用特定气氛和温度,处理过渡
金属
含氧化合物,得到调控的过渡
金属
单晶
氧化物前体;再通过煅烧过渡
金属
的
单晶
氧化物前体和含活性离子...
蔡盈盈
倪峻泽
尤樱樱
王志华
刘宜霖
张汉平
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范新会
作品数:229
被引量:586
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作品数:1,001
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作品数:370
被引量:1,045
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作品数:78
被引量:135
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作品数:123
被引量:8
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