搜索到295篇“ 铜互连技术“的相关文章
- 铜互连技术被引量：4
- 2005年
- 在集成电路中采用双镶嵌工艺制备互连线,铜作为互连线的材料具有低电阻率和较好的抗电迁移能力等优点,同时存在新的缺陷模式如沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失等,目前的工作主要是该工艺的完善.
- 王灵婕林吉申
- 关键词：集成电路铜互连线
- 集成电路封装载板通孔/盲孔铜互连技术的研究
- 魏树丰
- 改善铜互连技术的经时介电层击穿性能的方法
- 本申请提供一种改善铜互连技术的经时介电层击穿性能的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成铜互连结构；步骤S2，刻蚀层间介质层，使铜互连结构的顶部高于层间介质层的表面；步骤S3，形成介...
- 陆海进孙林林任佳栋
- 集成电路铜互连技术中阻挡层钴的CMP研究
- 集成电路技术节点已经发展到14nm及以下，传统阻挡层材料(Ta/TaN)出现与铜(Cu)的粘附性变差、可靠性降低等一系列问题已经无法满足阻挡层要求。金属材料钴(Co)具有极低的电阻率和优异的台阶覆盖性，可以有效阻挡铜的扩...
- 左劲松
- 关键词：集成电路化学机械平坦化互连技术阻挡层
- 55nm CMOS金属硬质掩模铜互连技术中湿法清洗工艺的开发与改进
- 本文主要研究了55nm CMOS金属硬质掩模铜互连技术中湿法清洗工艺。在55nm工艺平台中，评估了三种清洗药液，第一种是胺基为基础的有机溶剂，第二种是半有机半水基的清洗药液，第三种是稀释的氢氟酸。通过刻蚀速率、缺陷、电学...
- 李阳柏
- 关键词：湿法清洗
- 面向三维封装的铜互连技术研究
- 在半导体行业中，芯片的集成度一直遵循着摩尔定律发展，但进入新世纪后，芯片的特征尺寸逐渐趋近物理极限，实现等比例缩减的代价变得非常高，摩尔定律难以持续。而三维集成及封装技术的出现有望突破技术瓶颈，使摩尔定律得以延续，因此众...
- 张昆
- 关键词：三维封装自组装
- 文献传递
- 铜互连技术中接触孔钨填充工艺研究
- 随着集成电路工艺进入深亚微米阶段,后端的金属互连大多采用铜互连技术。但由于铜的扩散问题,接触孔工艺还是采用钨填充技术。随着线宽的缩小,钨填充技术面临的挑战也越来越大。生产应用中,经常会发生接触孔钨填充有空洞问题。大的空洞...
- 张冠群
- 关键词：接触孔TIN
- 文献传递
- 一种提升铜互连技术中抗电迁移特性的方法
- 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于32纳米及以下工艺中提升铜互连线的抗电迁移特性的方法。在铜互连线上采用自对准工艺制备CuSi<Sub>3</Sub>、CuGe、CuSiN等覆盖层，加上新型阻挡层材料的使...
- 孙清清陈琳杨雯王鹏飞张卫
- 文献传递
- 一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法
- 本发明公开了一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法，使用可溶于显影液的通孔填充材料采用1～3次涂布、1～3次烘烤实现铜互连技术的大马士革通孔填充；然后通过1～3次显影工艺，移除介质膜表面多余的填充材料；最后通过光...
- 朱骏
- 文献传递
- 溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能——铜互连技术的基础研究
- 随着集成电路制造工艺的发展,铜由于具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力而逐渐取代了铝作为互连线材料。当互连线特征尺寸减小到0.5μm以下,相比于互连线材料本身的固有性能,互连线的微观结构对互连线的性能以及可靠性的影响越来越...
- 王新建
- 关键词：热稳定性孪晶电迁移
- 文献传递
相关作者
- 朱骏
- 作品数：64被引量：6H指数：1
- 供职机构：上海集成电路研发中心
- 研究主题：淀积 刻蚀 光敏材料 光刻胶 抗反射
- 翁寿松
- 作品数：87被引量：222H指数：10
- 供职机构：无锡市罗特电子有限公司
- 研究主题：半导体产业 半导体 半导体设备 铜互连 应变硅技术
- 王艳琴
- 作品数：1被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学
- 研究主题：材料特性 LOW-K 硅集成电路 介电材料 铜互连技术
- 夏洋
- 作品数：8被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京科技大学
- 研究主题：ZR基非晶合金 YSZ 高塑性 合金体系 块体非晶合金
- 胡平
- 作品数：1被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学
- 研究主题：铜互连技术
