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光子晶体面发射激光器: 本发明提供了一种光子晶体面发射激光器，涉及半导体激光器技术领域。光子晶体面发射激光器包括：激发部，用于激发激光；发射部，用于使激光产生谐振，并通过衍射在谐振面的法向方向输出激光，其中，发射部包括阵列排布的多个光子晶体单元...; 郑婉华廖子源王宇飞齐爱谊韩韧博季海洋陈杨朱蕴之

垂直腔面发射激光器: 描述了用于1200 nm至1600 nm的波长范围内的长波长应用的若干VCSEL器件。这些器件包括有源区，该有源区位于GaAs晶片上的半导体DBR与在有源区上再生长的电介质DBR之间。所述有源区包括限制在有源n‑InP和...; 尤里·伯克弗拉迪米尔·亚科夫勒夫塔米尔·沙克兹埃拉德·门托维奇马坦·加兰蒂伊特沙克·卡利法

锥形台面垂直腔面发射激光器: 本公开的实施例涉及锥形台面垂直腔面发射激光器。在一些实现中，垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括衬底、在衬底上的第一反射镜、在第一反射镜上的有源区域、以及在有源区域上的第二反射镜。第二反射镜可以包括多个反射器层。台面可以...; A·袁C-Y·鲁

单模垂直腔面发射激光器芯片: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限...; 刘凯董晓雯钟云凤黄永清段晓峰王琦任晓敏

垂直腔面发射激光器及其制备方法: 本申请实施例涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器包括依次层叠的衬底、第一导电类型反射层、有源层和第二导电类型反射层；有源层包括至少三个量子阱层以及氧化层和隧穿结层；隧穿结层包括第二导电类型掺杂层...; 李峰柱吴昌翰王冲

面发射激光器的高速性能研究: 2025年; 为了简化工艺,提高面发射激光器的调制带宽与数据传输速率,采用多量子阱有源区设计、介质平面化工艺制备、氧化约束限制等方法,制备了一种发射波长为850 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。工艺上采用低介电常数的聚酰亚胺(PI)进行平面化,而非高速VCSEL芯片上常用的苯并环丁烯,研究了基于PI胶平面化工艺的高速器件的寄生响应。结果表明,在低偏置电流下,具有3μm氧化孔径的VCSEL显示出最大调制带宽为25.2 GHz,谐振频率为24.3 GHz,寄生截止频率为13.2 GHz,调制电流效率因子为22.726 GHz/mA^(1/2),D因子为19.670 GHz/mA^(1/2),阈值电流和微分电阻分别达到0.27 mA和215.965Ω,最大光输出功率为0.9 mW;PI方案可用于调制带宽为25 GHz及以下的产品。这一结果对简化工艺、提高面发射激光器的数据传输速率具有一定的指导意义。; 陈钊李惠钟础宇张幸苗威王彬张帅一; 关键词：激光器垂直腔面发射激光器高速调制

垂直腔面发射激光器及其制备方法: 本发明的实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；N个像元，位于衬底的第一表面上，其中，N为大于等于2的正整数，至少两个相邻的像元的至少一部分...; 李川川李阳袁崇献韦欣

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法: 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及光电技术领域，该方法包括：在衬底上依次形成N型欧姆接触层、N型DBR层、MQW层和P型DBR层，并进行台面刻蚀至露出N型欧姆接触层，P型DBR层包括多个交替设置的具有不同折射率的A...; 潘德烈李承远李佳勋

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法: 本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。该垂直腔面发射激光器包括：衬底和设置在衬底上的第一子N型DBR层，第一子N型DBR层背离衬底的表面划分有多个区域，每个区域上均层叠设置第二子N型DB...; 李承远李虎张立永李佳勋张金兵

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法: 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述激光器包括基底，所述基底上设置有外延层，其特征在于，所述外延层上设置有第一电极、第二电极、第一刻蚀区和第二刻蚀区，所述第一刻蚀区、第二刻蚀区...; 张立宇陈昭林中晞钟杏丽苏辉李雄陈辉

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