搜索到416篇“ C-V法“的相关文章
- 利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
- 2020年
- 利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.
- 郑晓思符斯列
- 关键词：GAN基蓝光LED多量子阱
- 电化学C-V法测量AlGaAs材料载流子浓度分布
- 2020年
- 电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs材料的掺杂浓度进行纵向剖析,通过测量曲线的分析来指导外延层浓度的设计和优化,进一步提高器件性能。
- 颜慧
- 关键词：载流子浓度
- C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响被引量：3
- 2018年
- 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。
- 王春安王春安符斯列丁罗城李俊贤鲍佳怡
- C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性被引量：4
- 2017年
- 应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的认识和理解,还可以让学生了解GaN新型半导体材料的相关知识.
- 符斯列王春安蒋联娇秦盈星吴先球
- 关键词：C-V法杂质浓度分布
- 电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布
- 2016年
- 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。
- 徐继平程凤伶
- 关键词：MOCVDGAAS载流子浓度
- C-V法向列相液晶弹性常数测量系统的设计与实现
- 本文提出一种通过改进偏压测试液晶电容,准确求得弹性常数的方法,并设计开发了测试系统.该系统由计算机控制PCI-1712产生偏压波形并实时采集数据,由单片机、D/A转换器等基于伏安法测试电容.初测结果表明,本测试系统可较准...
- 孔祥建王百金李文明荆海
- 关键词：向列相液晶介电常数阈值电压
- 文献传递
- 准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理被引量：3
- 2007年
- 表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究。采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态C-V测试;在给出表面态分析计算的原理基础上,用C语言编写数值积分程序对所采集数据进行了数据处理分析,计算得到了表面态密度分布情况,给出了分布曲线。结果表明,该样品p-Si材料的禁带中表面态存在比较广的连续分布,在靠近价带一侧呈现两个峰值。
- 钱敏刘蓓辛煜
- 关键词：C-V测试数据处理数值积分
- Schottky C-V法测量半导体杂质浓度分布新算法
- ＜正＞半导体内杂质浓度分布的精确测量对于集成电路工艺监控和器件研发具有重要意义.杂质浓度分布通常是由传统 Schottky C-V 法测试得到.传统微分电容法是基于耗尽层近似理论,在这种近似下半导体被分为全耗尽区和电中性...
- 傅懿斌丁鹏菲邵志标
- 关键词：过渡层
- 文献传递
- 电化学C-V法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展被引量：7
- 2007年
- 电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。
- 李晓云牛萍娟郭维廉
- 关键词：载流子浓度电解液
- 电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量
- 2007年
- 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法。通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果。
- 李若凡武一宾杨瑞霞马永强商耀辉牛晨亮
- 关键词：载流子浓度误差分析
相关作者
- 符斯列
- 作品数：41被引量：57H指数：3
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院
- 研究主题：GAN薄膜 等离子体 等离子体参数 C-V法 ECR等离子体
- 王春安
- 作品数：24被引量：22H指数：3
- 供职机构：广东技术师范学院电子与信息学院
- 研究主题：光伏系统 微处理器 蓄电池 氮化镓薄膜 蓄电池电压
- 孔祥建
- 作品数：5被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 研究主题：向列相液晶 C-V法 常数K C-V方法 TFT
- 丛众
- 作品数：6被引量：1H指数：1
- 供职机构：辽宁大学信息学院电子信息科学与技术
- 研究主题：晶体管 BSIT 高反压 超高频 本征
- 张继军
- 作品数：98被引量：52H指数：4
- 供职机构：上海大学
- 研究主题：碲锌镉 碲锌镉晶体 移动加热器法 CDZNTE CDMNTE
