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GaN基材料的低温外延技术被引量：1: 2023年; GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射频微波器件的制备.传统的GaN基材料通常是利用金属有机物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延等在蓝宝石、硅或碳化硅等耐高温的单晶衬底上外延生长得到.这些外延生长技术通常采用高温来裂解参与反应的前驱体.随着信息化和智能化的变革不断深入,催生出了对核心光(电)子器件的低成本和柔性化等共性需求.廉价且易于大面积制备的非晶衬底(玻璃、塑料、金属、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)等)是较为理想的选择,但非晶衬底的一个显著缺点是不能耐受较高的生长温度.由此催生出了GaN基材料低温外延的需求,即需要一类在低温下可以利用外电场能量裂解反应前驱体的外延设备.到目前为止,人们基于物理气相沉积和化学气相沉积的基本原理已经开发出了多种低温外延技术,取得了初步的研究结果.本文分别对这两类低温外延技术进行详细介绍,包括设备结构、工作条件和相关的外延生长结果,总结各类技术的特点.最后,对低温外延技术的发展前景作了展望,指出未来研究需要关注的重点.; 余佳东罗毅汪莱王健郝智彪孙长征韩彦军熊兵李洪涛; 关键词：GAN基材料物理气相沉积化学气相沉积

二维GaN基材料自掺杂特性研究: 汪芳平

一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法及射频器件: 本发明公开了一种获得低损耗Si上GaN基材料的方法，预先在高阻Si衬底上通过物理气相沉积(PVD)生长一层溅射的AlN薄膜，随后在PVD‑AlN薄膜上采用MOCVD进行后续GaN基材料的外延生长。本发明利用PVD工艺低温...; 杨学林沈波张立胜许福军

一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法: 本发明的一种基于GaN基材料原子层刻蚀方法，包括如下步骤：步骤1，将需要改性的改性材料输送至等离子蚀刻机的真空腔中进行抽真空；步骤2，将抽真空后的所述改性材料送至改性工艺腔室；步骤3，利用改性气体对所述改性材料进行改性加...; 刘建车东晨彭泰彦王玉许开东

二维GaN基材料表面修饰及GaN纳米片制备研究: 二维GaN具有较宽的带隙、优异的光电特性和良好的热力学稳定性，在光电子器件、自旋半导体器件、气体传感器件以及高功率器件等方面具备广阔的应用前景。目前，二维GaN是二维材料研究领域的一个热点。本文基于第一性原理分别研究了g...; 郑艳鹏; 关键词：第一性原理化学气相沉积; 文献传递

一种GaN基材料的凹槽制备方法: 本发明提供一种GaN基材料的凹槽制备方法，其制备步骤包括：在特定结构的氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；所述氮化镓基材料的结构自下而上包括：外...; 徐哲周阳; 文献传递

N极性GaN基材料晶体质量的优化及特性研究: 由于N极性Ⅲ族氮化物材料在自发极化和压电极化方向上同金属极性的Ⅲ族氮化物材料有明显差异,因此N极性Ⅲ族氮化物材料具有如下不可比拟的优势:AlGaN作为天然背势垒材料可以实现增强型器件;且具有较低的欧姆接触,可实现高频、直...; 张瑾; 文献传递

SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件: 本发明提供了一种SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，包括氮化物外延方法和工艺，在SiC衬底上生长BxAl1‑xN形核层；在BxAl1‑xN形核层上生长AlyGa1‑yN缓冲层；在A...; 郭艳敏尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠房玉龙冯志红; 文献传递

GaN基材料的分子束外延及其发光器件的制备与表征: 作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及紫外光电子器件之中。GaN基LEDs在节能减排、环境保护等方面相比于传统照明光源有着巨大的优势。经...; 吴耀政; 关键词：氮化物半导体分子束外延隧道结

基于微纳结构的GaN基材料生长及探测器研究: GaN基材料是第三代半导体材料的典型代表之一，是直接宽禁带材料，具有优异的光电特性和良好的稳定性，是制备高频高温高压大功率器件和高性能光电器件的优选材料。然而目前GaN基紫外光电器件性能仍然不理想，制约器件性能的主要原因...; 吴忧; 关键词：半导体材料氮化镓光电探测器

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