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一种可调整触发电压和维持电压的PNP管静电防护器件
本发明属于静电防护领域，具体涉及一种可调整触发电压和维持电压的PNP管静电防护器件；包括：PNP管静电防护器件共有3种器件结构，通过选用不同的器件结构，实现多种电压下的静电防护；本发明在保持较高失效电流的同时，通过选择不...
钱玲莉史凡萍徐青黄炜
POCl_3掺杂对PNP管特性的影响研究
2018年
PNP管的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结。PNP管的基区宽度和基区掺杂对PNP管电特性的影响很大。在常规IC工艺中,通常采用先做试片的方式来确定基区的磷掺杂扩散时间,工艺加工效率低。为了解决这个问题,从磷源POCl3的温度、扩散时间两方面入手,对PNP管的电流增益β进行了实验研究。结果表明,在POCl3温度为(20±1)℃、预扩散时间为(46±2)min、β不小于80的条件下,PNP管的β变化量小于50%。该研究用于实际PNP管的制造工艺中,工艺加工效率提高了100%。
冯霞梁涛
关键词：PNP管
PNP管串联型声光监控保护电源
PNP管串联型声光监控保护电源，属于电子技术领域，由防雷器，三端集成稳压电路，前端保护启动单元，PNP速断保护单元，故障系统警示控制单元，微分反馈单元，故障系统警示效果单元，输出保护门坎电路，输出保护启动单元，输出保护显...
宁永敭
文献传递
PNP管串联型声光监控保护电源
PNP管串联型声光监控保护电源，属于电子技术领域，由防雷器，三端集成稳压电路，前端保护启动单元，PNP速断保护单元，故障系统警示控制单元，微分反馈单元，故障系统警示效果单元，输出保护门坎电路，输出保护启动单元，输出保护显...
宁永敭
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利用PNP管BE结电压实现LED驱动装置
本实用新型公开了一种利用PNP管BE结电压实现LED驱动装置。利用PNP管BE结电压实现LED驱动装置包括第一电阻、第二电阻、第一PNP管、第一NPN管、第二NPN管、第二PNP管、第三NPN管和LED灯。
周宇坤
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互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法
本发明互补金属氧化物半导体工艺中寄生垂直型PNP管的方法解决了现有技术中互补金属氧化物半导体工艺器件通常包含CMOS、异质结NPN管和寄生的PNP管导致的基区宽度较宽，电流放大系数和频率特征较低的问题，由此方法制作的垂直...
徐炯魏峥颖郭明升
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采用磷埋工艺的双极型悬浮PNP管双外延制作方法
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP管双外延制作工艺中采用磷埋技术的工艺方法，该方法为投料、氧化、磷埋光刻、腐蚀、磷埋注入、磷埋退火、硼埋一光刻、注入、硼埋一退火、第一次外延、锑埋光刻、...
聂卫东邓晓军卜惠琴张炜
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一种用于功率IC中高性能PNP管的版图设计
2008年
在对传统横向PNP管版图和晶体管寄生效应分析的基础上,提出了一种基于双极工艺的横向PNP管设计方案,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向PNP输出管的版图设计.
董艳燕
关键词：功率集成电路版图设计
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺
采用磷埋技术的双极型悬浮PNP管双外延制作工艺是一种在双极型悬浮PNP管双外延制作工艺中采用磷埋技术的工艺方法，该方法为投料、氧化、磷埋光刻、腐蚀、磷埋注入、磷埋退火、硼埋一光刻、注入、硼埋一退火、第一次外延、锑埋光刻、...
聂卫东邓晓军卜惠琴张炜
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一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源被引量：1
2007年
基于横向寄生PNP管，提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响．提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明，基准电压为1．2280V，在—40℃～125℃．典型偏差小于2．7mV，温度系数为13．9ppm／℃。该带腺具有较好的工艺稳定性，在各工艺角情况下，失调电压小于±25．3mV．比传统带腺相对精度提高了3．3倍。最后，基于0．35μm CMOS工艺实现了该电压基准源。
蔡伟陆铁军王宗民
关键词：带隙基准失调电压电流失配
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董业民
作品数：137被引量：40H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
单毅
作品数：46被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：静电保护电路 SOI工艺 电路 单粒子效应 ESD保护器件
高国平
作品数：23被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路 集成电路 电平转换电路 反相器 接反
杨文
作品数：60被引量：141H指数：7
供职机构：电子科技大学
研究主题：粉体 醋酸盐 氧化物半导体 乳化剂OP 微波烧结
乔明
作品数：595被引量：128H指数：7
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 半导体功率器件 功率半导体器件 比导通电阻 击穿电压