搜索到59篇“ SIGE技术“的相关文章
- 泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术
- 2010年
- 8月10日,泰克公司宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM8HP硅锗（SiGe）技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米（nm）硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能，能帮助推出实时带宽超过30GHz的示波器产品。
- 关键词：SIGE技术示波器双极互补金属氧化物半导体GHZ可扩展
- 基于SiGe技术的5GHz频段射频接收机前端研究
- 随着集成电路产业的发展,RFIC/(射频集成电路/)设计正在步入SoC/(片上系统/)芯片的时代。无线终端市场的蓬勃发展促使RFIC/(射频集成电路/)设计以低成本和高集成度为目标,这促进了零中频体系结构成为了单片RFI...
- 江勇
- 关键词：低噪声放大器零中频
- 文献传递
- 应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展被引量：1
- 2005年
- SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造 GSM、DCS、GPS 中的 LNA、PA、DACs 和混频器等。为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如 Atmel wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代 Si/SiGe 双极技术(SiGe2)。这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率 f_T 和最大震荡频率 f_(max)达到90GHz 以上;5GHz 和20GHz 的最大稳定增益(MSG)分别为22dB 和11dB。SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS 技术还处于发展阶段。
- 孙伟峰叶志镇赵炳辉朱丽萍
- 关键词：SIGE双极MSGSI/SIGE发射区
- SiGe技术、器件及其应用
- 2004年
- SiGe技术和SOI技术将是21世纪硅集成的重要技术,它们相互补充,改善晶体管的速度 和性能。本文介绍了SiGe技术、器件和应用。
- 翁寿松
- 关键词：SIGE技术应变硅技术
- SiGe技术的应用与市场调查
- 2003年
- 1 介绍自从1998年10月 IBM 首次量产 SiGe HBT 以来,SiGe 技术获得了长足的进展,SiGe HBT 技术已成为市场的主流技术之一。
- 刘志农钱佩信
- 关键词：锗化硅SIGE技术HBT化合物半导体广播电视网
- SiGe技术研发现状与发展趋势(上)
- 2003年
- SiGe 技术发展迅速,本文将依次介绍:IBM 公司的 SiGe 技术进展、SiGe 外延设备产业化的情况。当前 SiGe 技术的最新进展和 SiGe 晶圆代工的现况、业界主要 SiGe 公司的 SiGe 产品发展现状。SiGe 产品已在通信领域遍地开花。
- 刘志农钱佩信
- 关键词：SIGE
- SiGe技术在蓝牙系统中的应用被引量：2
- 2002年
- 阐述了SiGe技术迅速发展的原因。重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性。
- 丁齐兵戴庆元
- 关键词：蓝牙系统晶格失配锗化硅低噪声放大器压控振荡器
- SiGe技术提高GSM射频前端性能
- 1999年
- 本文将特征频率fT达35GHz的新型SiGe双极型工艺与硅双权型工艺在射频前端的工作性能进行比较，结果表明：利用SiGe制造技术研制的2GHz。低噪声放大器（LNA）和混频器，具有更低的噪声系数、更好的线性度、更低的电流损耗，非常适合在当前市场占主导地位的数字蜂窝标准。
- 魏智
- 关键词：移动通信射频SIGE低噪声放大器混频器GSM
- 泰克采用8HP SiGe技术实现30＋GHz示波器设计目标
- 2011年
- 泰克公司宣布，经验证采用IBM8HP硅锗（SiGe）BiCMOS特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达30GHz以上，同时减小过去芯片组中存在的噪声。新型示波器平台将满足电子设计人员对更准确检定超过10Gb／s高速串行数据特性的需求，同时增强了100GbE光调制分析能力，这需要准确捕获复杂信号的每个比特位。
- 关键词：SIGE技术示波器数据特性调制分析
- 泰克采用8HP SiGe技术实现30+GHz示波器设计目标
- 2011年
- 初步集成测试显示IBM 8HP硅锗技术满足全球最严苛示波器要求
2011年5月19日——泰克公司日前宣布,经验证采用IBM 8HP硅锗（SiGe）BiCMOS特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求,实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达30GHz以上，同时减小过去芯片组中存在的噪声。
- 关键词：SIGE技术示波器IBM
相关作者
- 辛启明
- 作品数：2被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
- 研究主题：HBT FET BICMOS SIGE技术 SIGE
- 刘志农
- 作品数：18被引量：35H指数：4
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
- 研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT UHV/CVD 锗化硅
- 贾素梅
- 作品数：42被引量：56H指数：4
- 供职机构：邯郸学院
- 研究主题：多相正交序列 可调谐 互相关 扩频通信系统 扩频通信
- 夏克军
- 作品数：6被引量：7H指数：2
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院
- 研究主题：负阻 光电双基区晶体管 光电器件 晶体管 振荡器
- 王伟
- 作品数：292被引量：40H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：天线 机电耦合 反射面天线 电性能 阵列天线
