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VDMOS器件
本申请实施例提供了一种VDMOS器件，包括：衬底、位于衬底之上的外延层和位于衬底的背侧的漏极；第一掺杂类型的阱区，自所述外延层的上表面向下形成；第二掺杂类型的源区，自所述阱区的上表面向下形成；第一掺杂类型的第一掺杂区，自...
吴同飞
一种非对称碳化硅沟槽栅VDMOS
本实用新型提供一种非对称碳化硅沟槽栅VDMOS，包括漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层上设有凹槽；第一阱区连接至漂移层；第二阱区设于凹槽上；栅介质层连接至漂移层，栅介质层连接第一阱区，栅介质层内设有沟槽；第一N型源区连接至第...
施广彦张长沙胡慧娜李昀佶
一种提高栅极可靠性的碳化硅VDMOS
本实用新型提供了一种提高栅极可靠性的碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；均流层下侧面连接至漂移层上侧面，均流层上设有凹槽；阱区下侧面连接至及所述均流层上侧面；P型源区下侧面连接至所述阱区上侧面；N...
施广彦张长沙张瑜洁李昀佶
一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种集成电容的VDMOS器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：依次层叠设置的漏极、衬底和漂移区；第一栅氧化层，位于漂移区的上表面，沿垂直于衬底的方向，第一栅氧化层的正投影位于衬底的正投影的范围内；栅极，...
汪宇浩张园园张朝阳陈桥梁杨乐张钧辉
一种降低体二极管压降的碳化硅VDMOS
本实用新型提供了一种降低体二极管压降的碳化硅VDMOS，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有第一阱区以及第二阱区，所述第一阱区以及第二阱区内均设有源区；欧姆接触层，所述欧...
李昀佶张长沙陈彤张瑜洁
一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
本发明提供了一种异构沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型阱区、N型源区及掩蔽区；重新形成...
周海施广彦胡臻何佳
集成温度传感器的VDMOS器件及其制造方法
本发明公开一种集成片上阵列式温度传感的VDMOS器件，由下至上依次是N<SUP>+</SUP>衬底层、N<SUP>‑</SUP>漂移层、P型基区、P<SUP>+</SUP>源区、N<SUP>+</SUP>源区、栅氧层、多...
苏越桂赟常育宽宋仁豪
一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS
本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；均流层下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述均流层上设有凹槽；掩蔽层设于所述凹槽内；阱区下侧面连接至所述均流层上侧面；源区下侧...
李昀佶杨光锐施广彦张长沙
一种集成沟道二极管的VDMOS及其制备方法
本发明公开了一种集成沟道二极管的VDMOS及其制备方法，包括自下而上依次层叠设置的第一导电层，N+衬底层，N‑外延层和源栅结构，还包括：第一P‑body区，其在N‑外延层顶部对称设置为两个，其顶面嵌入有第一NSD区；沟槽...
卿洪远李加洋胡兴正薛璐
一种集成TVS的耐高压冲击的平面栅VDMOS
本实用新型提供了一种集成TVS的耐高压冲击的平面栅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层内设有TVS结构区，所移层上设有突起部；阱区下侧面连接至漂移层上侧面，阱区上设有开口槽，阱区的一侧面连接至突起...
李昀佶张长沙胡慧娜施广彦
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孙伟锋
作品数：1,113被引量：570H指数：11
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
王立新
作品数：105被引量：104H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
冯全源
作品数：449被引量：1,121H指数：14
供职机构：西南交通大学
研究主题：击穿电压 低功耗 带隙基准 低温漂 天线
谭开洲
作品数：137被引量：105H指数：6
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 VDMOS SIGE 半导体器件
鲍嘉明
作品数：31被引量：39H指数：3
供职机构：北方工业大学
研究主题：VDMOS 漂移区 物理模型 中频信号处理 中频信号