贺永宁
作品数: 201被引量:286H指数:9
  • 所属机构:西安交通大学
  • 所在地区:陕西省 西安市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

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王小力刘卫华李昕贺永宁魏仙琦马可
金纳米结构表面二次电子发射特性被引量:4
2018年
使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.
王丹贺永宁叶鸣崔万照
关键词:电子发射
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本实用新型公开了一种用于探测微弱紫外光的测量系统,包括紫外光探测设备、数据采集处理设备和上位机;紫外光探测系统用于将紫外光强度信息转化为电流信号后传输至数据采集处理设备中;数据采集处理设备用于将处理后的数据信息传输至上位...
赵小龙黄丹阳贺永宁梁昭昭李泉郭书文
ZnO薄膜的制备和结构性能分析被引量:7
2004年
ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中采用高纯原料 ,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材。采用所制备的靶材 ,利用L MBE技术在 (0 0 0 1)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长 ,在 2 80℃~ 30 0℃低温条件下所生长的薄膜样品具有 (0 0 0 1)取向的纤锌矿晶体结构 ,薄膜光学性能良好 ,论文中对ZnO薄膜的低温L MBE生长机理进行了探讨。
贺永宁朱长纯侯洵张景文杨晓东徐庆安曾凡光
关键词:MBEZNO薄膜宽带隙半导体材料光电子材料薄膜光学
Co-Mn系热敏材料的电性能研究被引量:2
1999年
本文介绍了 Co-Mn过渡金属氧化物在一定的烧成温度下,不同的配方与电阻率和 B值之间的关系,研究了淬火温度对热敏材料的电阻率与 B值的影响,测试 Co-Mn热敏电阻器的阻-温特性、伏安特性,并进行了讨论.
贺永宁武宇红王兆宏肖国伟武明堂
关键词:过渡金属氧化物热敏材料电性能电阻材料
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本发明公开了一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法,其采用单频信号激励待测接触元件,利用调零单元将反射信号中由其他结构产生的响应扣除以提高测量灵敏度,通过测量调零单元输出信号的幅度和相位,计算待测接触元件的接...
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一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法
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关键词:无源互调近场耦合
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分子电子器件及其新进展概述
近几年来,国际上关于分子电子学的研究进展极其迅速,并取得了大量成果。本文从分子电子学的基本原理出发,对分子二端器件的基本结构。工作原理和在此基础上形成的分子集成电路的最新进展及其面临的挑战进行了系统的介绍和分析,并于文末...
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