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古亚军
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- 所属机构:武汉科技大学
- 所在地区:湖北省 武汉市
- 研究方向:化学工程
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 张海军

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- 赵万国古亚军李发亮王军凯张海军张少伟
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- 张俊刘江昊赵万国韩磊古亚军张海军
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- 张海军古亚军张少伟李发亮鲁礼林
- 原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅被引量:1
- 2016年
- 采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni(OH)2,利用其原位合成NiO来催化硅粉氮化制备Si3N4粉,研究了原位合成NiO含量(质量分数为0-2.0%)和氮化温度对硅粉氮化的影响。结果表明:原位合成的NiO可以促进硅粉的氮化,随着NiO含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势;随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1 400℃、NiO质量分数为1.0%时硅粉全部氮化;制备的Si3N4呈晶须状,直径为65~497nm,其生长符合固-液-气-固(SLGS)生长机理。
- 古亚军张海军李发亮张少伟
- 关键词:硅粉SI3N4NIO
- Pt/Co和Pt/Ni双金属纳米溶胶制备及催化制氢被引量:3
- 2014年
- 采用化学共还原法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)稳定的Pt/Co和Pt/Ni双金属纳米溶胶,采用UV–Vis、TEM等对所合成的Pt/Co和Pt/Ni双金属纳米溶胶进行表征,研究了化学组成对双金属纳米溶胶催化剂催化NaBH4水解制氢的影响.结果表明,所制双金属纳米溶胶的平均粒径约为2.0 nm,双金属纳米溶胶的催化能力高于单金属Pt,Co,Ni纳米溶胶,Pt/Co和Pt/Ni双金属纳米颗粒优异的催化性能可归因于电荷转移效应,Co或者Ni原子与Pt原子之间发生的电荷转移效应使得Pt原子带负电而Co或者Ni原子带正电,荷电的Pt和Co、Ni原子成为催化反应的活性中心,促进了催化反应的进行.
- 向胜古亚军王鹏成君孔德成张海军张少伟
- 关键词:纳米溶胶制氢
- Pt/Co双金属纳米溶胶的制备及催化制氢性能被引量:1
- 2014年
- 采用化学共还原法制备了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)稳定的Pt/Co双金属纳米溶胶,利用UV-Vis、TEM等对所合成的Pt/Co双金属纳米溶胶进行了表征,并系统研究了PVP用量,还原剂用量,双金属比例对该溶胶型纳米双金属催化剂活性的影响。结果表明:所制备的Pt/Co双金属纳米溶胶的平均粒径在2~3 nm之间,大部分双金属纳米溶胶催化剂催化NaBH4制氢的活性都优于单金属Pt和Co纳米溶胶,Pt10Co90双金属纳米溶胶的催化活性最高,其催化NaBH4制取氢气的活性可以达到8800 mol-H2·mol-催化剂-1·h-1,该双金属纳米溶胶催化NaBH4水解反应的活化能为61.8 kJ/mol。所制备的Pt/Co双金属纳米溶胶催化剂具有很好的稳定性,即使在4次催化试验后该催化剂仍然保持着较高的催化活性。
- 成君古亚军孔德成向胜王鹏张海军张少伟
- 关键词:双金属纳米溶胶硼氢化钠制氢
- Ni纳米颗粒催化氮化Si粉的研究
- <正>本文以Ni纳米颗粒为催化剂,采用催化氮化法制备了氮化硅(Si_3N_4)粉体。研究了Ni纳米颗粒用量、保护剂用量及氮化温度等工艺因素对Si3N4粉体合成过程的影响。研究表明:加入2wt%的Ni纳米颗粒为催化剂时,1...
- 古亚军曹迎楠张海军李发亮鲁礼林张少伟
- 文献传递
- Pt/Ni双金属纳米溶胶的制备及催化制氢性能被引量:14
- 2013年
- 采用化学共还原法制备了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)稳定的Pt/Ni双金属纳米溶胶.采用紫外-可见光谱(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)对所合成的Pt/Ni双金属纳米溶胶进行了表征,并系统研究了PVP用量、还原剂用量和浓度、双金属比例对该双金属纳米溶胶催化剂催化性能的影响.结果表明,所制备的双金属纳米溶胶的平均粒径在2.0 nm左右,Pt/Ni双金属纳米溶胶的催化活性比Pt及Ni单金属纳米溶胶的高,当Pt/Ni摩尔比为1∶4时,纳米溶胶的催化活性最高,其活性值为16640 mol H2·mol-1Pt·h-1.所制备的Pt/Ni双金属纳米溶胶催化剂具有很好的耐久性,5次催化实验后该催化剂仍保持较高的催化活性.该双金属纳米溶胶催化NaBH4水解反应的活化能为48 kJ/mol.
- 孔德成古亚军向胜王鹏成君张海军张少伟
- 关键词:PT纳米溶胶硼氢化钠制氢
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- 本发明具体涉及一种氮化硅粉体及其制备方法。其技术方案是:先将硅粉与蒸馏水以固液质量比为1︰(50~80)混合,搅拌,超声分散,制得悬浮液;以Si与Co的质量比为1︰(0.005~0.05)向所述悬浮液中加入0.88mol...
- 张海军古亚军张少伟李发亮鲁礼林
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- 2014年
- 以Fe纳米颗粒为催化剂,采用催化氮化的方法制备氮化硅。结果表明:加入2%的Fe纳米颗粒,1 350℃保温2h催化氮化后,试样中的残余硅含量小于5%,而相同条件下无催化剂的试样中,单质硅的残余率高达50%。催化氮化制得的Si3N4试样中存在大量的晶须状Si3N4,其直径在40~200nm,长度可达几微米至十几微米。Si3N4晶须的生长机理主要为气相--液相--固相机理与固相--液相--气相--固相机理。
- 古亚军曹迎楠李发亮张海军鲁礼林张少伟
- 关键词:氮化硅晶须