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作品数： 265被引量：173H指数：7

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基于调节型共射共基结构的全差分光接收机模拟前端电路: 本发明公开了一种基于调节型共射共基结构的全差分光接收机模拟前端电路，包括：两个结构完全对称的光电探测器、一组级联的差分限幅放大器、以及输出缓冲级，还包括：差分结构调节型共射共基的跨阻放大器、以及一级共射级放大器；跨阻放大...; 谢生吴思聪毛陆虹高谦; 文献传递

一种提高短波红外探测效率的单光子雪崩二极管新结构: 本发明公开了一种提高短波红外探测效率的单光子雪崩二极管新结构，所述单光子雪崩二极管包括：一个倒置结构的N/P+结，由N型轻掺杂的NM层和P型重掺杂的XP层构成，用于检测短波红外光；一个虚拟保护环，由轻掺杂的高压DP阱制备...; 谢生孔祥法

基于3抽头前馈均衡预加重的光发射机驱动电路: 本发明公开了一种基于3抽头前馈均衡预加重的光发射机驱动电路，所述驱动电路包括：输入缓冲级，用于提供输入阻抗匹配；延迟单元，以多级级联的形式实现，且引入可变电容，提供延时；延迟单元、主信号放大器、正信号补偿、负信号补偿共同...; 谢生石岱泉毛陆虹; 文献传递

基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机被引量：4: 2014年; 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。; 郭增笑谢生付友毛陆虹康玉琢张世林; 关键词：光接收机 BICMOS

一种具有新型材料结构的圆柱形透镜矩阵太赫兹波源: 一种具有新型材料结构的圆柱形透镜矩阵太赫兹波源，在圆柱形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵，RTO矩阵位于圆柱形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2～32×32个RTO发射单元构成的矩阵。本发明形...; 毛陆虹赵帆郭维廉谢生张世林贺鹏鹏; 文献传递

基于BiCMOS工艺的180GHz信号产生、调制与探测电路: 2014年; 在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路。正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开关交叉耦合结构在提高振荡器频率的同时,改善了振荡器的相位噪声;采用控制差分尾管电流的跨导切换式的调制方式,对180 GHz信号进行了10 MHz的幅度调制,输出功率为-27 dBm;探测电路主要为肖特基势垒二极管直接检波电路,实现对已调制的180 GHz信号解调。采用IBM 180 nm SiGe BiCMOS工艺进行流片验证,芯片面积为1 000μm×450μm,测试结果表明探测器能够成功解调太赫兹信号。; 苏秋杰毛陆虹闫冬张世林谢生; 关键词：锗硅调制

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3: 2004年; 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。; 陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯; 关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火

一种基于可见光通信新型混合调制方法: 一种基于可见光通信新型混合调制方法，包括：分别对两路随机序列信号进行串并转换，得到两路并行信号；对转换后的一路信号进行PPM调制，得到PPM调制信号；对转换后的另一路信号进行PAM‑DMT调制，得到PAM‑DMT信号；通...; 毛陆虹叶崇光李程谢生肖谧; 文献传递

基于硅光电池的无源可见光通信接收模块设计（英文）被引量：1: 2018年; 基于太阳能电池的集成化,提出了1种用于光电识别(OEID)的可见光通信无源接收模块,利用硅光电池无需额外供能便可探测光信号并转化为电信号的特点,作为可见光接收器件,实现对空间可见光信号的无源探测和传输.电路部分采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺实现.设置光电池在500 lx的光照度条件下工作,为电源管理部分提供2 V的输入电压,输出为1.8 V;接收部分3 d B带宽为67.2 kHz,输出为0-1.8 V标准数字信号.整体芯片面积为615×460μm^2,电路的静态功耗约为1.5 m W.; 喻旻毛陆虹谢生徐继东王莹张逸非; 关键词：可见光通信硅光电池集成电路

防止边缘击穿的环形栅单光子雪崩二极管及其制备方法: 本发明公开了一种防止边缘击穿的环形栅单光子雪崩二极管及其制备方法，重掺杂N区与P阱区共同构成N<Sup>+</Sup>/P‑well型感光二极管结构；重掺杂的N区也作为光电探测器的阴极接触区；P阱接触区为重掺杂的P型区域...; 谢生吴佳骏毛陆虹