薛晓勇
作品数: 56被引量:5H指数:1
  • 所属机构:复旦大学
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

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林殷茵
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一种可用于训练的忆阻器阵列系统
本发明属于存储器技术领域,具体为一种可用于训练的忆阻器阵列系统。本发明系统包括:WL与BL寄存器,输入驱动,用于存储数据信息的忆阻器阵列,将忆阻器阵列输出的模拟信号转换为数字信号模数转换器,用于对ADC输出的数字信号进行...
薛晓勇郭之望姜婧雯黄晓丽赵晨阳方晋北陈德扬
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位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器
本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域,具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线,使用该条位...
林殷茵薛晓勇
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一种解决半选择单元干扰问题的SRAM设计方案被引量:1
2016年
半选择单元的干扰问题是SRAM工作电压无法随工艺微缩持续降低的主要原因,同时,作为常用写稳定性帮助策略和提高读写速度的策略,PWB中字线增强时间点对半选择单元干扰问题的影响非常值得关注.本文深入分析了半选择单元干扰问题的电路机理和PWB稳定性策略,提出了一种基于交叉耦合PMOS管的HFPWB创新方案,在避免了半选择单元干扰问题的同时,给出了字线增强的具体时间点.仿真结果表明本文提出的电路结构可以同时提高全选单元和半选择单元的稳定性,并可以提高读速度达17.1%.
程瑞娇薛晓勇林殷茵
关键词:静态随机存储器
一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM
本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域,具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后,存储节点的电位产生...
林殷茵薛晓勇
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带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器
本发明属于可编程逻辑器技术领域,具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的电阻随机存储器模块(37...
林殷茵陈凤娇薛晓勇
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一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法
本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法,能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构,包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群;其中,阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩...
刘文军薛晓勇张朕银姜婧雯周鹏
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用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM
本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域,具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM,包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容,所述等效寄生电容...
林殷茵薛晓勇
一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法
本发明涉及嵌入式控制领域,公开了一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法,所述存储器包括:搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元,所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻,所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连,所...
薛晓勇林殷茵
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低功耗静态存储器SRAM
本发明属于存储器技术领域,提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统,包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列,电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压;读写电路,用于当电源电压恢复...
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一种动态调控的忆阻器编程方法和系统
本发明公开了一种动态调控的忆阻器编程方法和系统;该方法包括:根据不同应用场景,对忆阻器所存储的数据进行分析和分类,根据数据热度将数据分为热数据、温数据、冷数据,对于冷数据,由进行编程操作时限流需要高电流,对于热数据,限流...
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