-
郑燕兰
-

-

- 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 所在地区:上海市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家高技术研究发展计划
相关作者
- 张永刚

- 作品数:268被引量:237H指数:8
- 供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题:INGAAS 分子束外延 光电探测器 缓冲层 INP基
- 李爱珍

- 作品数:166被引量:178H指数:8
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:量子级联激光器 氮化镓 氢化物气相外延 激光器 光电探测器
- 李爱珍

- 作品数:56被引量:79H指数:5
- 供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:分子束外延 GAAS MBE 半导体 MBE生长
- 李存才

- 作品数:19被引量:14H指数:2
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:气态源分子束外延 量子级联激光器 分子束外延 含磷 施主掺杂
- 林春

- 作品数:8被引量:13H指数:3
- 供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
- 研究主题:波段 半导体 半导体器件 腐蚀速率 化学腐蚀
- 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
- 本发明涉及制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系。包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种。盐酸系腐蚀液为盐酸、酒石酸和双氧水;氢氟酸系腐蚀液为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液为酒石酸钾钠、盐酸、和双氧水。这三种腐...
- 李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
- 文献传递
- RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
- 1999年
- 用RFPlasma MBE方法生长出了GaN 材料,它的X 射线衍射半峰宽为335 秒,77K 下PL发光峰半峰宽为22meV,表明了材料具有较高的晶体质量。根据X射线衍射分析,位错密度约为7 .3 ×108cm -2 。用Si 作为掺杂剂,所得载流子浓度可覆盖1017 - 1019cm -3 的范围。掺Si GaN 的PL谱表明,Si 的引入可提高材料的发光效率。
- 李伟赵智彪郑燕兰李存才杨全魁胡建齐鸣李爱珍
- 关键词:PL谱氧化镓
- 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
- 李爱珍林春郑燕兰简贵胄张永刚
- 该发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液,它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水;氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水;酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧...
- 关键词:
- 关键词:锑化物半导体器件
- 优质AlGaAsSb材料的MBE生长与特性
- 郑燕兰李爱珍林春杨全魁李存才胡建
- 关键词:MBE生长
- 带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究
- 本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的研究结果.文中对国际上中红外半导体光源进展进行了简单评述.
- 李爱珍李存才胡建徐刚毅张永刚林春郑燕兰李华李耀耀魏林朱诚
- 关键词:分子束外延量子级联激光器量子阱激光器
- 文献传递
- 半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征
- 1998年
- 在不同晶格温度和不同激发光强度下,测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱,导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明,激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型,线性比例系数I/I0实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率,而从激子荧光强度的Arhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能,而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数.
- 金世荣郑燕兰林春钟金权李爱珍
- 关键词:半导体PL
- 直接和间接带隙组成的Ⅲ-V族含铝化合物的掺杂方法
- 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法,具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷...
- 李爱珍郑燕兰李华胡雨生张永刚茹国平陈正秀
- 文献传递
- 用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究被引量:1
- 2001年
- 提出了一种适用于 GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸 系腐蚀液。该腐蚀液对于 GaSb和 AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用 合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率,有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐 蚀液对 AlGaAsSb的腐蚀速率与其 Al组份呈抛物线关系,在合适的 Al组份下可对 AlGaAsSb和 GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。
- 简贵胄郑燕兰林春李爱珍张永刚
- 关键词:半导体光电器件
- InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究被引量:4
- 2005年
- 研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。
- 唐田张永刚郑燕兰李爱珍
- 关键词:INGAASSB分子束外延多量子阱光致发光
- CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器
- 2005年
- 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
- 刘延祥唐绍裘夏冠群程宗权郑燕兰
- 关键词:GAINASSB钝化