-
张静
-
-
- 所属机构:中国电子科技集团
- 所在地区:江苏省 南京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金
相关作者
- 谭开洲
- 作品数:137被引量:105H指数:6
- 供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
- 研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
- 刘道广
- 作品数:72被引量:89H指数:6
- 供职机构:清华大学
- 研究主题:SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
- 徐婉静
- 作品数:17被引量:17H指数:3
- 供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
- 研究主题:PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
- 崔伟
- 作品数:32被引量:4H指数:1
- 供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
- 研究主题:半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
- 唐昭焕
- 作品数:78被引量:44H指数:4
- 供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
- 研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型