-
赵英杰
-

-

- 所属机构:长春理工大学
- 所在地区:吉林省 长春市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 郝永芹

- 作品数:102被引量:96H指数:7
- 供职机构:长春理工大学
- 研究主题:半导体激光器 垂直腔面发射激光器 垂直腔面发射半导体激光器 氧化物限制 电极
- 钟景昌

- 作品数:55被引量:114H指数:7
- 供职机构:长春理工大学
- 研究主题:半导体激光器 垂直腔面发射激光器 氧化物限制 湿法氧化 氧化速率
- 晏长岭

- 作品数:113被引量:137H指数:7
- 供职机构:长春理工大学
- 研究主题:半导体激光器 垂直腔面发射激光器 垂直腔面发射半导体激光器 分布布拉格反射镜 电极
- 冯源

- 作品数:87被引量:58H指数:5
- 供职机构:长春理工大学
- 研究主题:垂直腔面发射半导体激光器 垂直腔面发射激光器 半导体激光器 电极 分布布拉格反射镜
- 姜晓光

- 作品数:42被引量:88H指数:5
- 供职机构:长春理工大学
- 研究主题:半导体激光器 氧化物限制 垂直腔面发射激光器 下降法 垂直腔面发射半导体激光器
- 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法
- 半导体激光器温度特性参数即升即测测试装置及方法属于激光器性能测试技术领域。已知技术之装置存在的不足主要是结构复杂。而其测试方法存在的不足是,在测试半导体激光器的温度特性时,需要对温度实施控制。本发明之装置仅由保温箱、导热...
- 马建立钟景昌郝永芹赵英杰史全林李海军
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
- 2004年
- 利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。
- 刘文莉李林钟景昌张永明赵英杰郝永琴王勇苏伟晏长岭
- 关键词:X射线双晶衍射
- 1.54微米列阵半导体激光器
- 钟景昌赵英杰黎荣晖晏长岭田津郑凡磊邓云龙
- 该成果是在该院1.3微米和1.55微米大光腔半导体激光器的基础上研制成功的一种高功率输出的列阵半导体激光器。该成果提供了1.54微米的激光光源以及用于激光测距及光信号的大气传输和光纤传输。该成果创造性地提出了用列阵半导体...
- 关键词:
- 关键词:半导体激光器
- 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置
- 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置属于半导体激光器器件可靠性参数测试技术领域。相关的现有技术存在温度梯度大、加热惯性大等弊端,使得所确认的被测器件温度与实际温度相差较大;又由于光电探测器件在保温箱内一同被加热...
- 赵英杰张永明钟景昌李梅赵宇斯郝永芹晏长岭苏伟李林姜晓光
- 文献传递
- VCSEL的研究进展及应用前景被引量:9
- 2005年
- 介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
- 赵英杰李轶华李林张永明郝永琴晏长岭姜晓光钟景昌
- 关键词:垂直腔面发射激光器液相外延技术波分复用
- 一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构
- 本发明涉及半导体激光器技术领域,提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构,主要包括:衬底层1,缓冲层2,N型包覆层3,下波导层4,有源区5,上波导层6,P型包覆层7,过渡层8,P型接触层9,脊型台面10,电流限制沟道...
- 李特李再金郝二娟王钰智芦鹏乔忠良邹永刚赵英杰刘国军马晓辉
- 垂直腔面发射激光器制作新工艺被引量:10
- 2006年
- 采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mw。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词:激光技术垂直腔面发射激光器半导体激光器
- DBR结构参数的X射线双晶衍射研究被引量:1
- 2003年
- 利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星峰。"0"级双晶衍射峰的半高宽为12.36″,衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.57″。"0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离,计算出了DBR的周期D及Al含量x值。X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合。
- 李林李梅钟景昌赵英杰王勇苏伟
- 关键词:分布布拉格反射X射线双晶衍射
- 采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法
- III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性,在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能,克服InP基材料其间难以...
- 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邓昀王勇王晓华赵英杰李联合
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律被引量:4
- 2009年
- 为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同,尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物,并建立了氧化速率随时间变化的数学模型,推导出在湿法氧化过程中,氧化速率随时间按指数规律变化,指出在一定的温度下,氧化时间越长,氧化速率越趋于稳定;适当降低氧化温度,延长氧化时间可提高氧化工艺的可控性与准确性。
- 侯立峰钟景昌赵英杰郝永芹冯源谢浩锐姜晓光
- 关键词:激光技术垂直腔面发射激光器湿法氧化氧化速率