上海市科学技术委员会资助项目(04JC14013)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：任杰张卫卢红亮徐敏陈玮更多>>
- 相关机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
- 2006年
- 用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.
- 任杰陈玮卢红亮徐敏张卫
- 关键词：原子层淀积密度泛函理论
- 原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：3
- 2005年
- 原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。
- 卢红亮徐敏张剑云陈玮任杰张卫王季陶
- 关键词：金属氧化物薄膜高K材料
