上海市教育委员会重点学科基金(T0101)
- 作品数：87 被引量：458H指数：12
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- EA-HFCVD沉积纳米金刚石膜的光致发光分析(英文)
- 2007年
- 采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。
- 祝雪丰王林军胡广刘健敏黄健徐金勇夏义本
- 关键词：光致发光
- 纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文)被引量：1
- 2007年
- 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。
- 胡广王林军祝雪丰刘建民黄健徐金勇夏义本
- 关键词：纳米金刚石光学性质表面粗糙度
- 不同取向金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱特性研究被引量：8
- 2006年
- 采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量．结果表明（001）取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量，在红外波段基本是透明的．在2．5-12．5μm红外波长范围内，（001）取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化，折射率为2．391，消光系数在10^-5范围内；对于（111）取向金刚石膜，其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化，折射率和消光系数都低干（001）取向膜．通过计算拟合得到（001）取向金刚石膜的介电常数为5．83，优干（111）取向膜。
- 苏青峰夏义本王林军刘健敏史伟民
- 关键词：CVD金刚石膜折射率消光系数
- 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量：5
- 2008年
- 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
- 郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
- 关键词：多晶非晶硅物理气相沉积
- 三维原子探针对回火铌钒微合金钢中析出物的研究
- 2009年
- 将Nb-V微合金钢在1200℃固溶0.5h后淬火,分别在500℃和600℃回火4h,用三维原子探针(3DAP)研究析出物的特征。结果显示,固溶后V、Nb完全溶入基体;500℃回火后,基体中析出大量的C-V-Nb细小粒子,Mo出现偏聚;600℃回火后,析出粒子数量减少,尺寸增大,C、V、Nb和Mo的含量均增加,形成具有一定化学比的复合碳化物(Mo,V,Nb)C。
- 王泽民刘庆冬朱晓勇刘文庆
- 关键词：三维原子探针析出物回火
- 非调质塑料模具钢热加工的模拟研究
- 2008年
- 采用Gleeble 3800热模拟试验机研究了非调质塑料模具钢(SWFT钢)的热变形工艺,试验结果表明,SWFT钢分别在1 0001、050、1 100和1 150℃单道次变形50%后以0.083℃/s的速度冷却时,随热变形温度的升高,先共析铁素体组织减少直至消失,但晶粒较粗大。多道次热变形后在相同冷却速度时确保先共析铁素体组织不出现,同时细化因单道次变形温度较高出现的粗大晶粒,为SWFT钢应用于一定截面尺寸的非调质塑料模具钢模块提供了制订锻造工艺的依据。
- 罗毅吴晓春
- 关键词：塑料模具钢非调质钢热模拟热加工工艺
- [101]取向Li掺杂ZnO薄膜光学性能的研究被引量：11
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃热处理下,其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm左右的带间发光峰红移;当热处理温度升至610℃时,薄膜中再次出现380nm的NBE峰．
- 朱兴文李勇强陆液李英伟夏义本
- 关键词：ZNO薄膜PL谱
- CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外-可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.
- 张瑜史伟民郑耀明王林军朱文清夏义本
- 关键词：太阳能电池
- 工艺条件对热丝CVD金刚石薄膜电学性能的影响被引量：5
- 2006年
- 采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．
- 刘健敏夏义本王林军张明龙苏青峰
- 关键词：退火工艺
- 表面机械研磨处理后H13钢的等离子渗硼研究被引量：7
- 2007年
- 为了提高热作模具钢H13的性能,延长模具的使用寿命,本试验将表面机械研磨(SMA)处理与等离子渗硼相结合。通过显微金相技术、扫描电子显微分析技术(SEM)、X射线衍射分析技术(XRD)以及辉光放电发射光谱技术(GDOS)分别对H13钢渗硼后的渗层厚度、表面相组成以及元素逐层分布情况进行了探讨。研究结果表明在650℃×3h等离子渗硼处理后,纳米化表面便有Fe_2B相出现,次表面为扩散层,总渗入深度为30μm左右;在700℃×3h条件下,出现了Fe_2B和FeB的双相组织。而对于原始表面,在650℃×3h处理后表面没有任何硼化物出现,只产生了一定的扩散层。最终提出了表面纳米化之后实施低温渗硼的新型工艺。
- 吴晓春徐凌云汪宏斌
- 关键词：表面机械研磨处理
