国家自然科学基金(60276019)
- 作品数：9 被引量：18H指数：2
- 相关作者：刘明陈宝钦谢常青徐秋霞龙世兵更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种基于元胞自动机的显影模型
- 2005年
- 本文利用元胞自动机的方法建立电子抗蚀剂显影模型,阐述了用该模型确立电子抗蚀剂显影后轮廓的方法,在结合相应的能量沉积模型和显影速率模型后,给出了电子抗蚀剂最终显影轮廓的模拟结果,并用ZEP520电子抗蚀剂进行实验验证。
- 李泠龙世兵刘明陈宝钦
- 关键词：显影元胞自动机计算机模拟
- CIF格式转换为PG3600格式中任意多边形切割成矩形的算法研究(英文)
- 2008年
- 为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式转换软件,文章提出了微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的新的图形切割算法——沿边切割法,重点讨论任意多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行比较,说明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性,最后给出所编软件运行的实验结果。
- 李金儒陈宝钦刘明赵珉
- 关键词：数据格式转换任意多边形CIFWINDOWS操作系统
- SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工被引量：1
- 2003年
- 讨论了采用SAL6 0 1负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结 ,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取 ,应用于邻近效应校正软件 ,针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量 ,最终得到重复性良好的 ,栅条线宽为
- 王云翔刘明陈宝钦徐秋霞
- 关键词：抗蚀剂纳米级集成电路
- 电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片被引量：7
- 2006年
- 在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.
- 王德强曹磊峰谢常青叶甜春
- 关键词：电子束X射线光刻菲涅耳波带片
- 一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法(英文)被引量：2
- 2005年
- 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.
- 康晓辉李志刚刘明谢常青陈宝钦
- 关键词：电子束光刻
- 微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用被引量：7
- 2006年
- 微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用.
- 刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰
- 关键词：光学光刻技术
- 纳米电子器件及其集成
- 2006年
- 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
- 刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰商立伟
- 关键词：单电子器件
- 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证(英文)
- 2005年
- 在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I V特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.
- 张立辉李志刚康晓辉谢常青刘明
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子隧穿
- 高斯电子束曝光系统被引量：1
- 2005年
- 电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。
- 杨清华刘明陈大鹏叶甜春
- 关键词：电子束曝光掩模
