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国家高技术研究发展计划(2002AA404080)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张正元税国华更多>>
相关机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇平坦化
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇SOI
  • 1篇MEMS

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇税国华
  • 1篇张正元

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种适合SOI全介质隔离电路的平坦化技术
2003年
　介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术。该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平。该工艺适合制作某些具有特殊要求的集成电路、MEMS器件构件以及将电路和MEMS构件集成在同一硅片上的一体化加工。
杨国渝税国华张正元吴健
关键词：SOI多晶硅平坦化化学机械抛光MEMS
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