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中国科学院知识创新工程(KGCX2-YW-350)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇光电
  • 1篇光电材料
  • 1篇半导体
  • 1篇氮

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇孙艳
  • 1篇吕英飞
  • 1篇王奇伟
  • 1篇戴宁
  • 1篇孙常鸿
  • 1篇胡淑红
  • 1篇邓惠勇
  • 1篇邱锋

传媒

  • 1篇红外

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件
2012年
将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
邱锋胡淑红孙常鸿吕英飞王奇伟孙艳邓惠勇戴宁
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