您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60766002)

作品数:30 被引量:85H指数:5
相关作者:谢泉陈茜肖清泉余志强闫万珺更多>>
相关机构:贵州大学安顺学院贵州民族大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 15篇理学
  • 10篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理

主题

  • 11篇电子结构
  • 11篇子结构
  • 10篇第一性原理
  • 8篇光学
  • 7篇溅射
  • 7篇光学性
  • 7篇光学性质
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 5篇第一性原理计...
  • 5篇退火
  • 5篇掺杂
  • 4篇动力学
  • 4篇动力学模拟
  • 4篇分子
  • 4篇分子动力学
  • 4篇分子动力学模...
  • 3篇英文
  • 3篇凝固
  • 3篇凝固过程

机构

  • 26篇贵州大学
  • 4篇安顺学院
  • 3篇贵州民族大学
  • 1篇贵阳学院
  • 1篇湖南大学
  • 1篇陕西理工大学
  • 1篇铜仁学院
  • 1篇湖北民族大学

作者

  • 22篇谢泉
  • 7篇陈茜
  • 6篇肖清泉
  • 5篇高廷红
  • 5篇余志强
  • 4篇闫万珺
  • 4篇杨吟野
  • 3篇丰云
  • 3篇赵珂杰
  • 3篇周士芸
  • 3篇赵凤娟
  • 3篇高冉
  • 2篇张弦
  • 2篇崔冬萌
  • 2篇李旭珍
  • 2篇沈向前
  • 2篇杨创华
  • 1篇张春红
  • 1篇罗胜耘
  • 1篇王朋乔

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇中国科学(G...
  • 2篇纳米科技
  • 2篇海南师范大学...
  • 2篇现代物理
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇贵州大学学报...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇测试技术学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2014
  • 6篇2012
  • 5篇2011
  • 7篇2010
  • 9篇2009
  • 1篇2008
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基外延OsSi_2电子结构及光电特性研究被引量:5
2012年
基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的能带结构、态密度以及光电特性进行了研究.研究结果表明,Si(111)基外延稳定正交相的OsSi_2是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.625 eV;其价带主要是由硅的3s,3p态电子和锇的5d态电子构成,导带主要由锇的5d态电子与硅的3s,3p态电子构成;其静态介电函数为15.065,折射率为3.85,吸收系数最大峰值为3.9665×10~5cm^(-1).利用理论计算的能带结构和态密度研究了Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的介电函数、折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的变化规律,为Si(111)基外延OsSi_2的应用提供了理论基础.
余志强
关键词:第一性原理电子结构光电特性
Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究被引量:1
2010年
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。
杨子义郝正同谢泉
关键词:电子结构磁控溅射退火
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究
2012年
采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.
沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云
关键词:磁控溅射辉光放电计算机模拟
环境友好硅锰薄膜结构及性能研究进展被引量:2
2011年
锰硅化物结构的研究对性能的提高至关重要。但锰硅化物相结构的复杂性、无公度性、组分多样且不可控性,使得近年来对其研究结论各异,从而导致热电性能的提高面临着巨大挑战。文章对锰硅化物的结构及性能优化等方面的研究进行了综述,为今后硅锰热电材料性能的提高提供一定的理论参考。
范裹谢泉
关键词:热电性能
两种势下硅锗合金熔体快速凝固过程的分子动力学模拟被引量:2
2014年
分别采用Stillinger Weber(S-W)势和Tersoff势来描述硅锗原子间相互作用,运用分子动力学方法对比模拟研究了硅锗合金熔体的快速凝固过程.通过对径向分布函数、静态结构因子、键角分布函数、配位数、Voronoi多面体以及宏观密度的研究,综合对比发现,Tersoff势和S-W势相比更适合描述硅锗合金的快速凝固过程.
郭笑天闫万珺高廷红谢卓成谢泉
关键词:微观结构快速凝固
基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析
2010年
基于狭义相对论的基本观点,研究了特征X-ray的产生机理,分析了在狭义相对论下转动质量效应对X-ray光谱的影响,导出了一个计算X-ray特征波长的公式,同时对计算推导的特征波长值做了系统的误差分析,得到了相对误差的规律。结果表明,计算推导的波长值与实验的波长值相比是非常的接近的,并且随着原子序数的增加,转动质量效应对特征波长的影响越来越明显,研究结果在实际应用中对分析特征X-ray光谱具有一定的参考意义。
余志强谢泉肖清泉
关键词:狭义相对论光谱
Relationship between the Thickness of β-FeSi_2 Thin Film and the Solar Photo Wavelength被引量:1
2012年
The β-FeSi2 thin film has been applied in the research field of the solar cell,and the thickness of β-FeSi2 absorption layer was chosen through the experiments.However,Up to now neither the optimal thickness of β-FeSi2 absorption layer nor the relationship between the thickness of β-FeSi2 absorption layer and the solar photo wavelength has been theoretically studied.In this paper,the relationship between the thickness of the absorption layer of β-FeSi2 thin film solar cell and the solar photo wavelength is calculated and analyzed by theory.The results show that the thickness of the absorption layer of β-FeSi2 is at least 200 nm when the optical absorption efficiency of the solar energy reaches 90%,and that the optimal thickness range is from 200 nm to 250 nm,and that the optimal wavelength of the photon absorbed by β-FeSi2 thin film solar cell is from 0.46 μm?0.6 μm.Furthermore,two formulas are put forward to indicate the relationship between the thickness of the absorption layer of β-FeSi2 thin film solar cell and the solar photo wavelength.The thickness of the absorption layer of β-FeSi2 thin film solar cell increases linearly with the solar photo wavelength within the optimal photo wavelength.The formulas provide a reliable theoretical basis of determining the thickness of the β-FeSi2 thin film in the solar cell.
XIONG XichengXIE QuanYAN Wanjun
关键词:薄膜太阳能电池光波长
应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算
2009年
应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.
周士芸谢泉闫万珺陈茜
关键词:第一性原理应力电子结构
环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究被引量:3
2008年
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
肖清泉谢泉杨吟野张晋敏赵凤娟杨创华
关键词:电子结构
射频溅射沉积不同厚度Ca膜退火直接形成Ca_2Si膜(英文)被引量:5
2009年
使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si(100)衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时。半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上。实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度、因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长。另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长。并且,退火时间也是关键因素。
杨吟野谢泉
关键词:退火磁控溅射
共4页<1234>
聚类工具0