天津市自然科学基金(043604911)
- 作品数：13 被引量：107H指数：7
- 相关作者：耿新华赵颖薛俊明孙建陈新亮更多>>
- 相关机构：南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室河北省信息产业厅更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市科技发展战略研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究被引量：23
- 2005年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
- 徐步衡薛俊明赵颖张晓丹魏长春孙建刘芳芳何青侯国付任慧志张德坤耿新华
- 关键词：薄膜太阳电池MOCVD金属有机物化学气相沉积二乙基锌衬底温度MOL
- 绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用被引量：14
- 2007年
- 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果.
- 陈新亮薛俊明孙建赵颖耿新华
- 关键词：MOCVDB掺杂前电极太阳电池
- 电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响被引量：2
- 2007年
- 本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。
- 孙建薛俊明侯国付王锐张德坤赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响被引量：12
- 2007年
- 用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电阻率为4.7×10-4Ω.cm的ITO透明导电薄膜。
- 李林娜孙建薛俊明李养贤赵颖耿新华
- 关键词：载流子浓度迁移率透过率
- 反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响被引量：7
- 2007年
- 研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600～2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。
- 陈新亮薛俊明张德坤孙健任慧志赵颖耿新华
- 关键词：ZNO薄膜
- 衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响被引量：14
- 2007年
- 研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96cm2/V.s的高迁移率和3.28×10-2Ω.cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
- 陈新亮薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华
- 关键词：MOCVDZNO薄膜透明导电氧化物太阳电池
- 中频磁控溅射制备ZnO∶Al透明导电薄膜
- ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关,本文以2%的Al掺杂的Zn(纯度99.99%)金属材科作靶,采用中频磁控溅射技术研究了氧氩比、衬底温度对薄膜电阻率、透过率的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要...
- 刘金彪薛俊明徐步衡周祯华孙建赵颖耿新华
- 关键词：ZNO:AL薄膜衬底温度
- 用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜被引量：3
- 2007年
- 首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进行了研究。结果表明:在本文所研究的范围内,适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性,而功率的变化对均匀性影响不大;在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率;从薄膜的质量来说,气压低时较好,而功率则应适当选择。通过优化沉积条件,我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23×24cm^2,厚度不均匀性为±1.4%,最高沉积速率达10.5/s,光敏性最大为2.25×10~5的a-Si:H薄膜材料。
- 薛俊明侯国付王凯杰孙建任慧志张德坤赵颖耿新华
- 关键词：VHF-PECVD硅基薄膜
- 中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量：7
- 2006年
- 采用中频磁控溅射工艺，以2％的Al掺杂的Zn（纯度99．99％）金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO：Al（ZAO）薄膜，系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响，并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度为4．9×10^20cm^-3，霍尔迁移率为56cm^2／V·s，可见光范围内（400～800nm）的平均透过率大于85％。
- 黄宇孙建薛俊明马铁华熊强赵颖耿新华
- 关键词：中频磁控溅射衬底温度
- 薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响被引量：3
- 2006年
- 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。
- 陈新亮薛俊明孙建任慧志张德坤赵颖耿新华
- 关键词：MOCVDZNO薄膜透明导电氧化物太阳电池
