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河北省自然科学基金(F2007000098)

作品数：5 被引量：12H指数：2
相关作者：杨瑞霞杨克武骆新江吴景峰姜霞更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学杭州电子科技大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 5篇功率放大
  • 5篇功率放大器
  • 5篇放大器
  • 4篇单片
  • 4篇晶体管
  • 4篇宽带
  • 4篇集成电路
  • 3篇单片集成
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇电子迁移率
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  • 3篇微波单片
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  • 3篇高电子迁移率
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  • 2篇单片功率放大...
  • 2篇砷化镓

机构

  • 8篇河北工业大学
  • 8篇中国电子科技...
  • 3篇石家庄铁道学...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 8篇杨瑞霞
  • 3篇杨克武
  • 2篇姜霞
  • 2篇吴景峰
  • 2篇骆新江
  • 1篇阎德立
  • 1篇冯震
  • 1篇张书敬
  • 1篇邱旭
  • 1篇周晓龙
  • 1篇高学邦
  • 1篇官伯然
  • 1篇刘岳巍
  • 1篇张志国
  • 1篇默江辉
  • 1篇张玉清
  • 1篇李静强
  • 1篇何大伟
  • 1篇贾科进
  • 1篇冯志红

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇2007北京...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
2007年
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB.
吴小帅杨瑞霞阎德立刘岳巍贾科进何大伟杨克武
关键词：内匹配HFET功率合成
159WX波段固态空间功率合成放大器被引量：9
2009年
根据径向波导的主模特性,提出了一种基于径向波导的空间功率合成系统和它的简化模型.利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,开发出了16路宽带空间功率合成电路和159W X波段放大器模块.结果发现,无源合成网络在整个X波段合成效率都优于88%,放大器模块在其工作频率内(11.9GHz^12.3GHz),合成效率优于83%.
骆新江杨瑞霞官伯然吴景峰姜霞
关键词：微波固态功率放大器空间功率合成径向波导
2瓦5-19GHz宽带微波单片功率放大器(英文)
采用0.25μm PHEMT 工艺技术,研制出了一款5～19GHz 三级宽带微波单片(MMIC)功率放大器。从5～19GHz 整个频段范围内,这款功放具有24dB 的小信号增益,平均输出功率约为33dBm,功率附加效率在...
骆新江杨瑞霞吴景峰姜霞周晓龙
关键词：砷化镓单片微波集成电路放大器宽带
文献传递
应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器(英文)
2007年
采用0.25μm AlGaAs／InGaAs／GaAs PHEMT工艺技术，研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片，在6～18GHz的工作频率下，放大器的平均功率增益为19dB，输出功率大于33.3dBm，在10GH。处有最大输出功率34.7dBm，输入回波损耗S11低于-10dB，输出回波损耗S22低于-6dB。与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比，有较好的功率平坦度。
张书敬杨瑞霞张玉清高学邦杨克武
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路功率放大器
X波段30W内匹配GaNHEMT功率器件被引量：3
2008年
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8GHz下测试,饱和输出功率为30W,功率增益在6dB以上,功率附加效率为38%,该结果目前在国内为首次报道。
李静强杨瑞霞冯震邱旭王勇冯志红默江辉杨克武张志国
关键词：阻抗内匹配
2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器
2008年
运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22～24dB之间,功率附加效率PAE在23%～28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5～19GHz内)。
骆新江杨瑞霞吴景峰周晓龙姜霞
关键词：功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
一种新型宽带微波单片功率放大器
运用微波在片测试技术和 IC-CAP 模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT 器件进行了大信号建模;随后在 ADS 环境下,利用此模型,并采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法设计了一款三级宽带功率放大器。其仿真结...
骆新江杨瑞霞吴敬峰周晓龙姜霞刘岳巍
关键词：功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
文献传递
FET阻性混频器设计原理
场效应管（FET）阻性混频器,因具有失真小,噪声低等优点,而表现出诱人的应用前景。作者从FET内部机理到辅助电路（如匹配网络和双工器）,对其设计原理进行了详细的阐述。提出了它的设计原则。最后,作者还用MWO（microw...
骆新江杨瑞霞吴景峰姜霞周晓龙刘岳巍
关键词：混频器匹配电路双工器场效应晶体管
文献传递
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