上海-AM基金(0402)
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 相关作者：王跃林李铁马铁英刘文平明安杰更多>>
- 相关机构：中国科学院中国计量学院中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：上海-AM基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Pyrex7740玻璃深刻蚀研究被引量：7
- 2007年
- 研究了以TiW/Au为掩膜,在氢氟酸以及氢氟酸加硝酸溶液中Pyrex7740玻璃的湿法深刻蚀现象。实验发现,在氢氟酸中玻璃的刻蚀速率随溶液温度及浓度的升高而升高,室温下纵/横向侧蚀比最小。在氢氟酸中加入少量硝酸后可以提高其刻蚀速率,当硝酸含量为10%时,刻蚀速率可以提高两倍左右。利用上述结果,实现了用一层TiW/Au掩膜制作多种不同深度的玻璃坑槽结构,为玻璃上不同深度沟道制作提供了一种新的方法。
- 明安杰李铁刘文平王跃林
- 关键词：湿法刻蚀MEMS
- 热敏材料掺磷非晶硅的退火行为
- 2007年
- 本文对PECVD制备的红外热敏材料掺磷非晶硅薄膜的两个关键热电参数-红外吸收系数和电阻温度系数-采用红外透射谱、拉曼谱和电阻率测量进行了深入的研究。实验结果表明,对样品进行退火30 min后,薄膜结构可以达到稳定;随着退火温度的增加,样品的红外透射率下降;当退火温度达到700℃时,薄膜完全晶化;与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度和退火温度的增加而减小。根据Lu的模型,对这些现象进行了解释并给出了制备和退火的优化条件。
- 马铁英李铁周萍刘文平王跃林
- 关键词：非晶硅退火电阻温度系数
- 非晶硅薄膜的红外热敏特性
- 2008年
- 用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系.综合考虑非晶硅电阻率和电阻温度系数两个因素,采用掺杂比0.025,退火温度600℃的薄膜样品进一步研究.
- 马铁英李铁刘文平王跃林
- 关键词：非晶硅退火电阻温度系数
- CMOS兼容的微机械P/N多晶硅热电堆红外探测器被引量：3
- 2007年
- 提出一种采用正面开口进行湿法腐蚀释放热电堆的结构,通过利用高精度光刻、LPCVD(low-pressure chemical vapor deposition)薄膜生长、IBE(ion beam etching)干法刻蚀、TMAH((CH3)4NOH)腐蚀等微机械加工技术,设计并制作了CMOS兼容的微机械多晶硅热电堆红外探测器。实验得到的器件成品率达到90%以上,响应率为12.5V/W,探测率1×107cmHz1/2/W,为进一步大规模红外面阵研究奠定了基础。
- 刘义冬李铁王翊王跃林
- 关键词：红外热电堆微电子机械系统
