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中国博士后科学基金(20070410774)

作品数：5 被引量：15H指数：2
相关作者：蔡苇邓小玲符春林潘复生高家诚更多>>
相关机构：重庆科技学院重庆大学更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电畴
  • 2篇铁电
  • 1篇电子技术
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇金属栅
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇非金属材料
  • 1篇SFM
  • 1篇CMOS器件
  • 1篇掺杂
  • 1篇掺杂改性
  • 1篇尺寸

机构

  • 5篇重庆科技学院
  • 4篇重庆大学

作者

  • 5篇符春林
  • 5篇邓小玲
  • 5篇蔡苇
  • 3篇潘复生
  • 1篇高家诚
  • 1篇程文德

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇真空
  • 1篇金属功能材料

年份

  • 5篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展被引量：3
2008年
铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了金属有机化学气相沉积法制备铁电薄膜的历史、原理、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能。
符春林潘复生蔡苇邓小玲
关键词：金属有机化学气相沉积铁电
电畴尺寸研究进展
2008年
铁电体是一类重要的功能材料,电畴是其物理基础。综述了电畴尺寸的影响因素、晶粒临界尺寸(包括单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)、厚度临界尺寸等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的问题。
符春林潘复生蔡苇邓小玲
关键词：无机非金属材料电畴尺寸铁电
锆钛酸钡掺杂改性研究进展被引量：10
2008年
综述了锆钛酸钡(BaZrxTi1–xO3,简称BZT)材料的掺杂种类以及掺杂对晶粒尺寸、相变温度、介电非线性和介电弛豫的影响等方面的最新研究进展,提出了研究中在掺杂与结构等方面需要解决的一些问题。
蔡苇高家诚符春林邓小玲
关键词：电子技术掺杂
扫描力显微镜(SFM)法表征电畴的研究进展
2008年
铁电体是一类重要的功能材料,电畴是其物理基础。综述了利用原子力显微镜(AFM)、压电力显微镜(PFM)、扫描非线性介电显微镜(SNDM)表征铁电材料中电畴的研究进展,指出了这几种方法的优、缺点,提出了研究中需要解决的问题。
符春林潘复生蔡苇邓小玲
关键词：电畴
CMOS器件用金属栅材料的研究进展被引量：2
2008年
传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点。最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题。
蔡苇符春林邓小玲程文德
关键词：金属栅多晶硅
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