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立方相ZnMgO的电学特性: 2007年; 在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.; 金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁; 关键词：MIS结构介电常数

氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性被引量：2: 2008年; 采用气体反应电子束蒸发法，氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌（ZnO）薄膜。AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高，且随氨气压的增加粗糙度也随之增加，这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关，但表面依然比较平整。XRD分析显示，（0002）衍射峰位没有发生移动，但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加，衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0．261°增加到0．427°。氧化锌掺氮后电阻率提高了4-7个数量级，达到了降低ZnO中电子浓度的目的。; 王双江吴惠桢金国芬张莹莹陈笑松徐天宁; 关键词：原子力显微镜 X射线衍射光致发光光谱电阻率

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浙江省自然科学基金(2406092)