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上海市科委科研计划项目(0552nm049)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：蒋宾吴晓京吴子景更多>>
相关机构：复旦大学上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：上海市科委科研计划项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇弹性模量
  • 1篇电路
  • 1篇钝化层
  • 1篇氧化硅
  • 1篇集成电路
  • 1篇二氧化硅

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 1篇吴子景
  • 1篇吴晓京
  • 1篇蒋宾

传媒

  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究被引量：2
2008年
利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值.
吴子景吴晓京SHEN Wei-dian蒋宾
关键词：二氧化硅氮化硅弹性模量
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共1页<1>
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