国家自然科学基金(50172002)
- 作品数：4 被引量：26H指数：3
- 相关作者：袁洪涛张跃张雪川谷景华王树彬更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- MOCVD法制备一维氧化物阵列材料被引量：6
- 2004年
- 介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)系统的结构及其新特点 ;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例 ,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法 ,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述 ;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长 ,并且排列非常规整 ,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点 ;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2 等一元金属氧化物和ZnAlO 。
- 张跃袁洪涛程进宋强
- 关键词：化学汽相沉积氧化物一维材料
- MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究被引量：10
- 2005年
- 采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列。在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列。XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向。SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差。
- 张雪川张跃袁洪涛王树彬
- 关键词：ZNO晶须MOCVD
- MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多...
- 林煌袁洪涛童强张阳张跃
- 关键词：ZNO薄膜MOCVD压电双晶片
- 文献传递
- 原位生长高度定向ZnO晶须被引量：10
- 2004年
- 采用大气压金属有机化合物化学气相沉积 (AP MOCVD)方法 ,以Zn(C5H7O2 ) 2 为原料 ,在玻璃基片上制备出高度定向的ZnO晶须 .扫描电子显微镜观察发现晶须垂直基片取向生长 ,规则排列 ,长度、形状几乎一致 .晶须直径为10 0nm— 80 0nm ,长径比为 8— 15 ,尖端曲率半径仅为 5 0nm ,甚至更小 .x射线衍射 (XRD)分析结果表明ZnO晶须为六方晶系纤锌矿结构 ,并沿c轴高度取向 .采用热分析对反应前驱物进行了研究 ,同时也讨论了ZnO生成的化学反应过程 。
- 袁洪涛张跃谷景华
- 关键词：晶须原位生长扫描电子显微镜X射线衍射分析半导体材料
- MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
- 2004年
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.
- 林煌袁洪涛童强张阳张跃
- 关键词：ZNO薄膜MOCVD压电双晶片
