沈阳市科学技术计划项目(1071115-1-00)
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 相关作者：谭天亚吴炜郭永新邵建达范正修更多>>
- 相关机构：辽宁大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：沈阳市科学技术计划项目辽宁省科技厅科研基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的制备和性能被引量：3
- 2009年
- 采用电子束蒸发方法在三硼酸锂(LBO)晶体上制备了1064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试。结果表明,通过多次实验,不断改进薄膜沉积工艺条件,在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜。样品在1064 nm,532 nm波长的剩余反射率分别为0.07%和0.16%,薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4 mN和15.14 J/cm2,薄膜激光损伤发生在Al2O3膜层。
- 谭天亚邵建达范正修于撼江吴炜郭永新
- 关键词：薄膜光学LBO晶体附着力激光损伤阈值
- 基底显微结构对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究被引量：1
- 2009年
- 利用Monte Carlo方法研究了基底显微结构对薄膜生长的影响.对不同显微结构基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和尺寸与薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率之间的关系进行了模拟和分析.模型中考虑了粒子沉积、吸附粒子扩散和蒸发等过程.结果表明,基底显微结构对薄膜生长具有明显影响.当沉积温度为300 K、沉积速率为0.005 ML/s(Mono1ayer/second,简称ML/s)、覆盖度为0.05 ML时,四方基底上薄膜生长呈现凝聚生长.随着覆盖度增加,岛的尺寸变大,岛的数目减少.而对于六方基底,当覆盖度从0.05 ML变化到0.25 ML时,薄膜生长经历了一个从分散生长过渡到分形生长的过程.无论是四方还是六方基底,随着沉积速率的增加,岛的形貌由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.
- 谭天亚李春梅吴炜郭永新
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长
- 六方晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1
- 2009年
- 利用Monte Carlo(MC)方法,模拟研究了六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与薄膜覆盖度以及入射粒子沉积速率之间的关系.结果表明在基底温度为300K时,岛的形貌主要表现为分形生长,随着薄膜覆盖度的增加,岛的分形枝簇变大,岛的数目不断减少.在同样的温度下,随着入射粒子沉积速率的增大,薄膜表面的形貌逐步由少数聚集型岛核分布状态向众多各自独立的离散型岛核分布状态过渡.进一步研究得出,薄膜覆盖度和入射粒子沉积速率对粒子扩散能力的影响最终导致岛的形貌发生了改变.
- 谭天亚陈俊杰江雪李春梅苏宇吴炜
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长沉积速率
- 缓冲层对LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响被引量：2
- 2009年
- 采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064nm,532nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1064nm和532nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1%和25.8%,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1064nm,532nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.
- 谭天亚于撼江吴炜郭永新范正修邵建达
- 关键词：光学薄膜LBO晶体激光损伤阈值缓冲层
- 不同晶格基底上薄膜生长的Monte Carlo模拟研究被引量：1
- 2009年
- 利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了四方和六方晶格基底上薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明,基底晶格结构对薄膜生长具有明显影响.当基底温度为300K、入射粒子剩余能量为0时,四方晶格基底上薄膜的生长已经呈现明显的凝聚生长,随着基底温度或入射粒子剩余能量的增加,岛的数目变少、岛的平均尺寸变大.对于六方晶格基底,当入射粒子剩余能量为0、温度从300K升高到350K时,岛的形貌从分散生长向分形生长转变;当基底温度为300K、入射粒子剩余射能量从0上升到0.05eV时,岛由分散生长向分形生长转变.
- 谭天亚李春梅苏宇张静吴炜郭永新
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长晶格基底温度
- LiB3O5晶体上四倍频增透膜设计
- 2008年
- 采用矢量法设计了三硼酸锂(LiB3O5,LBO)晶体上1064nm、532nm、355nm和266nm四倍频增透膜.结果表明,在1064nm、532nm、355nm和266nm波长的剩余反射率分别为0.0019%、0.0031%、0.0061%和0.0047%.根据容差分析,薄膜制备时沉积速率准确度控制在+6.5%时,基频、二倍频、三倍频和四倍频波长的剩余反射率分别增加至0.24%、0.92%、2.38%和4.37%.当薄膜材料折射率的变化控制在+3%时,1064nm波长的剩余反射率增大为0.18%,532nm、355nm和266nm波长分别达0.61%,0.59%,0.20%.与薄膜物理厚度相比,膜层折射率对剩余反射率的影响大.对膜系敏感层的分析表明,在1064nm和266nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层.在532nm和355nm波长,从入射介质向基底过渡的第一和第四膜层是该膜系的敏感层.误差分析也表明,薄膜材料的色散对特定波长的剩余反射率具有明显影响,即1064nm、532nm、355nm和266nm波长的剩余反射率分别增加至0.30%、0.23%、0.58%和3.13%.
- 谭天亚邵建达范正修吴炜郭永新韩宇
- 关键词：光学薄膜LBO晶体容差分析
- 纳米微晶结构氧化锌中激子发光的研究进展被引量：6
- 2008年
- 由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射。因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题。综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程。重点介绍了温度、激发功率、量子限域效应以及激光辐照等因素对ZnO激子发光的影响。
- 谭天亚陈俊杰江雪
- 关键词：薄膜光学ZNO激子发光
