国家自然科学基金(60736035)
- 作品数：44 被引量：121H指数：6
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- 相关机构：天津大学山西大同大学厦门大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- InP／GaAs异质键合界面的XPS研究
- 2009年
- 用直接键合技术在480℃实现了InP/GaAs的异质键合,用X射线光电子谱研究了样品的界面化学态。研究分析表明,InP/GaAs样品在480℃的键合过程中发生相互扩散(除P外),键合界面处形成了由InP、GaAsI、nAs和GaP构成的中间过渡层,过渡层厚度约为6nm。
- 谢生陈松岩毛陆虹郭维廉
- 关键词：晶片键合X射线光电子谱磷化铟
- 基于光相位信号延时自相干的相位信息高速实时取样系统被引量：6
- 2012年
- 提出了一种基于光相位信号自相干的高速光相位实时取样方案。利用时延为10ps的延时干涉仪(DI),将待测光信号的相位信息转换为强度信息;再在高非线性光纤(HNLF)中,利用四波混频(FWM)效应对强度信号进行取样。在接收端,利用不同中心波长的光滤波器(OBPF)即可滤出不同时间点的取样信号,从而在光域同时完成高速光相位信息的实时取样和取样信号的串-并转换。本文方案具有成本低、对测信号码率和波长不敏感的优点。实验中,对9GHz正弦调制以及10Gb/s非归零码调制的光相位信号实现了100G/s的高速实时取样系统,并转换为10路10G/s取样信号输出,最终恢复取样光信号的相位波形。
- 王文睿于晋龙郭精忠韩丙辰罗俊王菊刘毅孟天晖杨恩泽
- 关键词：光信号处理
- 基于光纤光参量放大的异步双波长全光再生技术研究被引量：3
- 2010年
- 本文提出了一种新型的多波长全光再生方案,利用相位时钟光纤光参量放大,并采用相邻信道偏振正交的方法,实现对由异步信源产生的双波长信号全光再生.理论分析了参量放大中的增益饱和现象用于幅度噪声抑制,以及利用相位时钟及后续色散实现对信号定时的机理.在这个基础上,对两个独立信源产生的异步双波长10Gbit/s信号进行再生实验,实验表明该方案有效的抑制了基于多波长3R再生系统中信道间的四波混频与交叉相位调制等非线性干扰.系统在单波长和双波长情况下分别将两路信号信噪比改善了至少6.5dB与4.5dB.误码率测试结果说明,与背对背测试结果相比,无论是在单波长还是双波长条件下,两路波长的信号经过再生后都实现了约2dB的接收机功率代价的改善.
- 于晋龙罗俊韩丙辰郭精忠吴波王菊张晓媛杨恩泽
- 关键词：光通信光纤光参量放大
- 基于注入半导体激光器的微波副载波相位调制信号产生被引量：1
- 2012年
- 光载无线技术是解决终端超宽带无线通信的重要方法,光信号与微波/毫米波信号的融合处理技术在光-无线的数据格式转换中至关重要.提出了一种基于相位调制信号光注入Fabry-Perot型半导体激光器实现微波副载波相位调制信号产生的方法.光学注入半导体激光器的输出光场会产生一周期(P1)振荡效应,P1振荡产生的边带实现了相位调制信号光的调制分量的放大,被放大的调制分量与注入光载波在激光器腔内拍频形成微波副载波.注入光相位的变化导致新产生的微波副载波相位变化,实现了注入信号光相位信息转化为微波副载波相位信息.本系统完成1.3 Gb/s,2.7 Gb/s,2 Gb/s光相位调制信号到微波副载波相位调制信号的转换,并测量了微波的单边带相位噪声.通过光电转换和电域混频将还原出的光基带信号与原信号进行逻辑对比,证明了数据信息转换的正确性.
- 吴波于晋龙王文睿韩丙辰郭精忠罗俊王菊张晓媛刘毅杨恩泽
- 利用单个半导体光放大器实现两个独立信号同时波长变换的实验研究被引量：7
- 2010年
- 基于单个半导体光放大器(SOA),实现了两路独立信号(10 Gb/s)的同时波长变换。其中输入信号为消光比恶化的归零码,其"0"码具有较弱的光功率,并且偏振态与"1"码正交。利用SOA中四波混频(FWM)的强度与偏振相关特性,通过调节两路输入信号间的偏振角度,将两路信号的调制信息分别复制到了由四波混频产生的两路闲频光上。实验结果表明,输出的两路波长变换后的信号具有良好的消光比。
- 韩丙辰于晋龙张立台王文睿吴波罗俊杨恩泽
- 关键词：光通信半导体光放大器四波混频波长变换
- InP基UTC-PD的理论分析与模拟
- 2009年
- 首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14μm×1μm、反偏电压为2V时,光电流响应的线性动态范围达60mW,响应度和?3dB带宽分别为0.16A/W和40GHz.当输入光脉冲宽度为10ps时,光电流响应的峰值达1.3mA,半峰全宽(FWHM)为28ps.
- 谢生刘丽飒亢文萍宋瑞良毛陆虹张世林
- 关键词：光电子学光电探测器磷化铟
- InP基单片集成光接收机的研究与进展被引量：2
- 2008年
- 总结了InP基单片集成高速光接收机的主要集成形式,分析了各种集成方式的优缺点,重点总结了最具发展潜力的PIN-HEMT光接收机的研究与进展,最后指出单片集成光接收机的发展方向。
- 谢生侯玉文陈朝毛陆虹
- 关键词：磷化铟单片光电集成光接收机
- 基于半导体光放大器的组播实验研究被引量：2
- 2010年
- 提出了一种基于半导体光放大器(SOA)的组播实验方案,首先利用谱展宽和谱切片得到多波长脉冲源,将其作为探测光并与信号光共同注入到SOA中,利用SOA的交叉增益调制(XGM)效应,信号光与每一个波长的脉冲光发生作用,在SOA输出端通过可调光带通滤波器(TBDF)得到每一波长的变换后信号,实现光信号的组播过程。在实验中,10 Gb/s的归零(RZ)码作为信号光,而由多波长脉冲源产生的4波长脉冲光作为探测光,在探测光波长附近分别得到了与编码信号光逻辑取"非"的信号。
- 韩丙辰于晋龙王文睿吴波罗俊张立台杨恩泽
- 关键词：光通信组播
- SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用被引量：1
- 2008年
- 采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75。FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少。通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器。
- 谢生陈松岩陈朝毛陆虹
- 关键词：氮化硅钝化磷化铟
- 退火对NiCr薄膜阻值的影响分析被引量：2
- 2009年
- 采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小;而经过450℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.
- 谢生侯玉文陈朝毛陆虹陈松岩吴逢铁(英文审校)
- 关键词：镍铬薄膜电阻热退火磁控溅射
