国家教育部博士点基金(20030056034)
- 作品数：21 被引量：230H指数：8
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 电沉积Ni-W合金在NaCl溶液中的腐蚀行为被引量：9
- 2006年
- 通过电沉积的方法制备了Ni-W晶态合金与Ni-W非晶态合金。采用极化曲线与电化学阻抗谱测试了Ni-W合金在0.5mol/L NaCl溶液中的腐蚀行为。结果表明,Ni-W非晶态合金在0.5mol/L NaCl溶液中的极化曲线与Ni-W晶态合金相比,腐蚀电位较正,且钝化区间明显。Ni-W非晶态合金在0.5mol/L NaCl溶液中的电化学阻抗谱容抗弧半径远远大于Ni-W晶态合金,并且随着浸泡时间的延长Ni-W非晶态合金的表面生成一层钝化膜,容抗弧半径变化较小,而Ni-W晶态合金的容抗弧半径随浸泡时间的延长而越来越小,表面腐蚀越来越严重。总体来说,Ni-W非晶态合金的耐蚀性能要远远优于Ni-W晶态合金。
- 姚颖悟姚素薇宋振兴
- 关键词：NI-W合金电化学阻抗谱
- 自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应被引量：3
- 2007年
- 采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)基体上以NiFe薄膜为缓冲层制备了[Ni_(80)Fe_(20)/Cu/Co/Cu]_n自旋阀多层膜,并确定了电沉积的工艺条件.利用X射线衍射(XRD)表征了自旋阀多层膜的超晶格结构,研究了NiFe缓冲层对自旋阀生长取向的影响.采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响,通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线.自旋阀的巨磁电阻(GMR)值最初随着铜层厚度的变化发生周期性振荡,Cu层厚度为3.6nm时,GMR达到最大值,随后逐渐减小.随着Co层和NiFe层厚度的增大,GMR值的变化趋势均为先增大后减小.当自旋阀的结构为NiFe(25nm)/[Cu(3.6nm)/Co(1.2nm)/Cu(3.6nm)/NiFe(2.8nm)]_30时,GMR值可达5.4%,对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.2%·Oe^(-1),饱和磁场仅为350Oe.
- 姚素薇姜莹张卫国
- 关键词：自旋阀多层膜巨磁电阻
- 氧化镍纳米线的制备及光电性能研究被引量：4
- 2006年
- 通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8h得到NiO纳米线。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压。测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365nm)照射下,40V比60VNiO/AAO阵列体系的光电压大。
- 刘伟星姚素薇张卫国韩玉鑫
- 关键词：电沉积光电性能面心立方晶粒尺寸
- 高度有序多孔阳极氧化铝膜形成机理的探讨被引量：31
- 2006年
- 使用高纯铝片,利用电化学阳极氧化制备了多孔阳极氧化铝(AAO)膜,用原子力显微镜(AFM)对其形貌进行了表征,提出铝阳极氧化过程中纳米孔从无序到有序的自组织模型,探讨了高度有序六角形纳米孔阵列的形成过程,并分析了影响纳米孔有序度的因素及提高有序度的途径。根据自组织模型探讨了长时间阳极氧化和二次氧化条件下形成高度有序六角形纳米孔阵列的机理。
- 姚素薇孔亚西张璐
- 关键词：阳极氧化铝原子力显微镜
- 光还原法制备不同形貌银纳米粒子及其形成机理被引量：35
- 2006年
- 采用AgNO3-TSC体系,光还原制备不同形貌的银纳米粒子,利用UV-V is、TEM测试分析了纳米银的生长机理。结果表明,紫外光是激发Ag+还原的必要条件,入射光源的波长决定粒子的生长取向。波长为253.7 nm的光源可诱导生成棒状银纳米粒子,365 nm波长的光源诱导生长截断三棱柱形银纳米粒子,而采用波长宽泛的卤钨灯照射,则可同时得到棒状、截断三棱柱、立方体及球形纳米粒子。
- 姚素薇曹艳蕊张卫国
- 关键词：光还原纳米银
- 阳极氧化法制备TiO_2纳米管阵列及其光电性能研究被引量：30
- 2007年
- 采用阳极氧化法在钛片上制备了TiO2纳米管阵列光电极,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对TiO2纳米管的形貌和结构进行了表征,详细考察了氧化工艺参数对纳米管阵列形貌的影响,并通过稳态光电响应技术对TiO2纳米管电极的光电化学性能进行了研究．结果表明,在1wt％HF电解液中,控制氧化电压为20V,反应30min后,在Ti表面获得了垂直导向的TiO2纳米管阵列,孔径约为90nm,管壁厚度约为10nm．经600℃退火处理后,TiO2纳米管阵列为锐钛矿型与金红石型的混晶结构,此时电极的光电性能最佳,与TiO2纳米多孔膜电极相比,光电性能大幅提高．
- 李贺姚素薇张卫国王宏智贲宇恒
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列光电化学
- 氧化铝纳米线的制备及其形成机理被引量：29
- 2005年
- 采用二次铝阳极氧化技术,制备高度有序的铝阳极氧化膜(AAO模板).经X射线衍射(XRD)分析,模板为无定形结构.将模板放入腐蚀液中,可获得大量无定形结构的氧化铝纳米线.模板在800℃下退火4h后,变为!-Al2O3结构,采用类似腐蚀液溶解模板,得到大量!-Al2O3纳米线.研究了腐蚀液种类、腐蚀时间和模板晶体结构等因素对生成氧化铝纳米线的影响,并利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和XRD对纳米线的形貌与结构进行了表征.结果表明,在多种腐蚀液中,均可获得氧化铝纳米线;随着腐蚀时间的增加,纳米线的长度增加,直径变小,长径比增大;氧化铝纳米线的晶体结构与所采用模板的晶体结构一致.此外,还采用原子力显微镜(AFM)和SEM对AAO膜的表面形貌及其结构特点进行了详细的观测,并以此为基础讨论了氧化铝纳米线的形成机理,认为AAO模板本身存在的花状微结构是形成纳米线的内因,花瓣间的凹陷部位首先被腐蚀断裂,形成氧化铝纳米线.
- 张璐姚素薇张卫国王宏智
- 关键词：氧化铝纳米线
- 硅基AAO模板法制备纳米阵列研究进展被引量：8
- 2007年
- 硅基纳米材料结构与性能独特,在光学、半导体和材料科学等领域具有广阔的应用前景。本文介绍了硅基阳极氧化铝模板相对于铝基模板在集成纳米功能器件方面的优势及其制备方法,对阳极氧化工艺过程进行了分析,并对几种基于硅基AAO模板组装的纳米阵列进行了综述,总结了硅基纳米结构阵列性能的研究概况。
- 姚素薇陆平张卫国
- 关键词：硅基阳极氧化铝纳米阵列
- 纳米晶Pd修饰p-Si电极的制备及其光电析氢性能被引量：2
- 2006年
- 在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰pSi电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20min时,Pd颗粒的直径约为80nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37nm.重点研究了Pd/pSi电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/pSi电极的析氢过电位较无光照减小约250mV,比半导体Si减小约450mV(电流密度为2.5mA·cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/pSi电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12Ω·cm2降低至442.20Ω·cm2,光照下的析氢反应速率明显增加.
- 李贺姚素薇张卫国王宏智贲宇恒
- 关键词：纳米晶化学沉积析氢
- 二氧化钛纳米管阵列电极的光电化学性能研究被引量：13
- 2007年
- 采用阳极氧化法在钛片上制备了垂直排列的TiO2纳米管阵列,利用SEM XRD对纳米管阵列的形貌和结构进行了表征,并通过电化学交流阻抗谱、光照开路电位谱和瞬态光电流谱技术对纳米管阵列电极的光电化学特性进行了研究。实验结果表明,TiO2纳米管的内径约为90nm,管壁约为10nm,纳米管阵列厚度约为500nm,经600℃退火处理后,转变为锐钛矿型与金红石型的混晶结构。光电测试结果表明,随着退火温度升高,TiO2纳米管阵列电极的界面电荷转移电阻减小,光电流逐渐增大,光照开路电压增大,至600℃达到最大,当退火温度继续升高,电极的光电性能急剧下降。与TiO2纳米多孔膜电极相比,光电性能显著提高,这主要归因于TiO2纳米管阵列更大的孔隙率和比表面积。
- 李贺姚素薇张卫国王宏智贲宇恒
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列光电化学
