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国家重点基础研究发展计划(G2000028208)

作品数:41 被引量:221H指数:10
相关作者:林璇英林揆训黄锐余楚迎余云鹏更多>>
相关机构:汕头大学中国科学院研究生院四川大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 25篇理学
  • 10篇电气工程
  • 6篇电子电信
  • 5篇动力工程及工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 26篇硅薄膜
  • 21篇多晶
  • 18篇多晶硅
  • 18篇多晶硅薄膜
  • 10篇电池
  • 8篇太阳电池
  • 6篇微晶硅
  • 6篇微晶硅薄膜
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 6篇H
  • 4篇等离子体增强
  • 4篇气源
  • 4篇微结构
  • 4篇辉光
  • 4篇辉光放电
  • 4篇光谱
  • 4篇光学
  • 4篇非晶硅
  • 4篇非晶硅薄膜

机构

  • 26篇汕头大学
  • 7篇四川大学
  • 7篇中国科学院研...
  • 6篇韩山师范学院
  • 5篇中国科学院
  • 3篇华南理工大学
  • 3篇北京太阳能研...
  • 2篇内蒙古师范大...
  • 2篇河南师范大学
  • 1篇安庆师范学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇深圳市宇光高...

作者

  • 22篇林璇英
  • 17篇林揆训
  • 13篇黄锐
  • 11篇余楚迎
  • 9篇余云鹏
  • 7篇刘丰珍
  • 7篇王照奎
  • 7篇郑家贵
  • 7篇冯良桓
  • 7篇朱美芳
  • 6篇魏俊红
  • 6篇祝祖送
  • 6篇蔡亚平
  • 6篇武莉莉
  • 6篇蔡伟
  • 5篇张静全
  • 5篇李卫
  • 4篇邱桂明
  • 4篇黎兵
  • 4篇刘金龙

传媒

  • 11篇物理学报
  • 9篇功能材料
  • 7篇Journa...
  • 4篇太阳能学报
  • 2篇汕头大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇发光学报
  • 1篇真空
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇Plasma...
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 5篇2007
  • 6篇2006
  • 4篇2005
  • 14篇2004
  • 8篇2003
  • 1篇2002
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SnO_2纳米晶的湿敏特性研究被引量:4
2006年
采用溶胶-凝胶法制备SnO2纳米晶薄膜,并对其进行表征;初步研究SnO2纳米晶薄膜的阻-湿特性并计算其湿滞,得出:SnO2纳米晶薄膜随着晶粒尺寸的减小,其感湿灵敏度有所增大且湿滞变小.
余楚迎
关键词:SNO2纳米晶相对湿度
用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究被引量:9
2005年
对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎
关键词:多晶硅薄膜H2气源等离子体增强非晶硅薄膜稀释度
铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化
利用铝诱导非晶硅薄膜晶化制备多晶硅薄膜可以降低退火温度,缩短退火时间。在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速界面处硅、铝原子间的互扩散,实现了非晶硅薄膜在更低温度下更加快速的晶化。实验结果表明,外加电场,退火温度为40...
陈一匡林揆训罗志梁锐生周甫方
关键词:非晶硅薄膜多晶硅薄膜外加电场
文献传递
用质谱法测量SiH4辉光放电中性基团的空间分布
本文设计了一个取样位置能在电极间自由调节的取样装置,用质谱法首次测量了SiH(n=0-3)基团的空间相对丰度分布。SiH的消耗率是计算中性基团的关键参量,一种线性拟合的方法被提出来计算SiH的消耗率。SiH(n=0-3)...
王照奎林揆训林璇英邱桂明祝祖送
关键词:质谱法
SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
2006年
采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。
马丽芬许颖任丙彦勾宪芳王文静万之坚李海峰
关键词:多晶硅
化学池沉积法制备CdS多晶薄膜及其性质被引量:7
2004年
采用化学池沉积(CBD)法,在3种不同衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积制备CdS多晶薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS多晶薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea,研究了CBD法中CdS多晶薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响。结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2玻片为衬底的沉积效果最佳。
黎兵蔡伟冯良桓蔡亚平李卫郑家贵张静全武莉莉
关键词:太阳电池
以SiCl_4/H_2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性被引量:2
2007年
研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法,在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况。实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大。
余楚迎林璇英黄锐
关键词:多晶硅薄膜晶化率晶粒尺寸
RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜被引量:1
2005年
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3~0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.
周炳卿朱美芳刘丰珍刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨
关键词:微晶硅薄膜PECVD
低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索被引量:2
2003年
在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6 25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4 5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。
许颖励旭东王文静于元赵玉文沈辉
关键词:多晶硅薄膜电池太阳电池颗粒硅带化学气相沉积光伏电池
Preparation and Properties of CdTe Polycrystalline Films for Solar Cells被引量:1
2006年
The structure and characteristics of CdTe thin films are closely dependent on the whole deposition process in close-space sublimation (CSS). The physical mechanism of CSS was analyzed and the temperature distribution in CSS system was measured, and the influences of the increasing-temperature process and pressure on the preliminary nucleus creation were studied. The results indicate: the samples deposited at different pressures have a cubical structure of CdTe and the diffraction peaks of CdS and SnO2∶F. As the atmosphere pressure increases, the crystal size of CdTe decreases, the rate of the transparency of the thin film decreases and the absorption side moves towards the short-wave direction. After a 4-minute depositing process with a substrate temperature of 500 ℃ and a source temperature of 620 ℃, the polycrystalline thin films can be made, so the production of high-quality integrated cell with SnO2:F/CdS/CdTe/Au structure is hopeful.
郑华靖张静全
关键词:太阳能电池
共5页<12345>
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