国家自然科学基金(60676054)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 相关作者：孙宝权李文生熊永华窦秀明常秀英更多>>
- 相关机构：中国科学院通辽职业学院唐山师范学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- InAs单量子点精细结构光谱
- 2009年
- 在5K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学。给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性。当精细结构能级劈裂为零时,激子的本征态为简并的圆偏振态。而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态。相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小。
- 李文生孙宝权
- (Ga,Mn)As光调制反射光谱
- 2007年
- 室温下我们研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As 的光调制反射（PR）光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡（FKO）信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E0 和E0＋Δ0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边～100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为～10^17 cm^-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域.
- 王志路孙宝权
- 关键词：稀磁半导体
- InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫被引量：2
- 2009年
- 利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品。在5K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱,研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间。它们的自旋翻转时间常数分别为:本征激子的自旋翻转时间约16ns,正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2ns,负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50ps。
- 李文生孙宝权
- 关键词：量子点激子
- 电场调谐InAs单量子点的发光光谱
- 2010年
- 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.
- 常秀英窦秀明孙宝权熊永华倪海桥牛智川
- 关键词：STARK效应
