国家教育部博士点基金(20070284020)
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
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- 相关机构：南京大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质被引量：6
- 2009年
- 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.
- 宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基
- 关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运
- SnO2纳米晶体的制备、结构与发光性质被引量：6
- 2009年
- 使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒,使用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和光吸收谱等方法分析与表征了SnO2纳米颗粒的结构和光学性能.实验中通过表面活性剂的加入来控制纳米颗粒的结晶与凝聚.XRD,TEM的结果表明,原始制备出的SnO2纳米颗粒的平均粒径小于4nm,为完好的晶体状态.纳米颗粒经过400—1000℃退火后晶粒尺寸进一步增大.光吸收谱表明,相对于体材料,纳米颗粒的禁带宽度展宽并随颗粒尺寸增大而红移.光致发光谱测试表明,不同温度下退火的SnO2纳米颗粒在350—750nm有较强的发光,研究表明这是来源于颗粒表面的氧空位缺陷发光.
- 林涛万能韩敏徐骏陈坤基
- 关键词：氧化锡表面活性剂光致发光
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性
- 2008年
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。
- 周江李卫张贤高徐骏徐岭李伟陈坤基
- 关键词：场发射非晶碳
