在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C60分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞(unfaulted half unit cell),C60更易于吸附在有层错半胞(faulted half unit cell).表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C60分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位置的直径和高度,发现由于不同位置分子与衬底的相互作用强度的不同,其分子直径和高度也存在一定差异.还研究了C60分子在Si(111)-7×7表面的多层生长模式,并且通过600℃退火处理在硅表面形成了有序的单层结构,从而实现了C60分子在硅表面从Stankski-Krastanov三维岛状模式到Frank-van der Merwe层状生长模式的转变.
