国家高技术研究发展计划(2009AA03Z418)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：刘文王磊周宁王定理徐智谋更多>>
- 相关机构：华中科技大学武汉光迅科技股份有限公司光纤通信技术和网络国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于分布反馈光栅的纳米压印模板制作被引量：2
- 2011年
- 高质量、低成本的压印模板的获得是采用纳米压印技术制作分布反馈光栅的难点,本文采用双层金属掩模及lift-off金属剥离方法制作了适用于紫外压印技术的石英基压印模板。首先,采用电子束光刻技术在镀钛的石英基片表面直写出DFB光栅的光刻胶图形,接着,在其表面溅射一层金属镍并进行金属剥离得到与光刻胶相对的图形,最后采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术将光栅图形转移到石英基片上,并对模板的表面进行了防粘连处理。所制作的DFB光栅压印模板周期为200nm,光栅中间具有λ/4相移结构,适用于1 310nm波长的相移型DFB半导体激光器光栅的制作。
- 王定理刘文周宁徐智谋
- 关键词：纳米压印
- 纳米压印λ/4相移分布反馈激光器的单模稳定性被引量：2
- 2011年
- 利用沿谐振腔体的一维数值模型着重研究了采用纳米压印技术制作的λ/4相移光栅分布反馈半导体激光器(QPS-DFB-LD)的光谱特性对谐振腔体参数的依赖性。通过将理论计算的结果与实测光谱对照,抽取了用于理论计算的QPS-DFB-LD模型参数。计算结果表明,相移区对中心位置的偏离量较小时(不超过10%)不会对器件的光谱特性造成很大影响,而仅仅是带来微小的蓝移和边模抑制比(SMSR)的变化。而当相移区对中心位置的偏离实际存在时,距离相移区较近的一端光输出功率增大而另一端光输出功率减小,并且距离相移区较近的一端输出光谱SMSR略高。器件两端蒸镀减反膜后所残留的反射率仍会使激射模在一定范围内产生漂移,并使其SMSR产生一定程度上的劣化。
- 周宁李林松曹明德王定理王磊刘文李洵
- 关键词：激光器纳米压印光谱边模抑制比
- 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
- 2010年
- 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。
- 王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢
- 关键词：纳米压印半导体激光器干法刻蚀技术湿法腐蚀
