中国博士后科学基金(20060390984)
- 作品数：4 被引量：20H指数：3
- 相关作者：郭东明李庆忠康仁科张然金洙吉更多>>
- 相关机构：大连理工大学江南大学河南科技学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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- 分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究被引量：10
- 2007年
- 使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验。结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20nm/min,表面粗糙度为Ra1.0760nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除率为373.69nm/min,表面粗糙度为Ra1.5776nm;二乙烯三胺提高了抛光液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因,其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键作用提高了抛光液磨粒胶体表面的zeta电位,较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力,故较好的纳米磨料粒子分散性使抛光表面粗糙度降低。
- 李庆忠金洙吉张然康仁科郭东明
- 关键词：CMP分散剂铜去除率粗糙度
- ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析被引量：6
- 2007年
- 对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析,指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向。
- 李庆忠郭东明康仁科
- 关键词：化学机械抛光抛光液铜
- 有机碱对铜CMP材料去除率作用的实验研究被引量：1
- 2008年
- 分别使用几种有机碱作为络合剂、SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,复配后分别进行相同工艺参数的抛光试验。试验结果表明:乙二胺强络合作用明显,对铜的去除率最大可以达到850.8 nm/min,表面粗糙度Ra=13.540°A;二羟基乙基乙二胺和二乙醇胺去除率较低,本试验中最大分别为71.8 nm/min和25.1 nm/min。乙二胺适合用于碱性环境下的ULSI铜抛光液,材料去除率较高的原因是有效的强络合作用与抛光参数相匹配以及化学作用和机械作用动态平衡的结果。
- 李庆忠于秀坤苏建修郭东明
- 关键词：CMP有机碱铜材料去除率
- 非离子型活性剂在ULSI碱性Cu抛光液中的性能被引量：4
- 2008年
- 使用四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性Cu抛光液中进行抛光实验。结果表明,所选用的非离子型表面活性剂对材料去除率的影响不大,当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25%时,抛光表面质量提高,表面粗糙度(Ra)由1.354 nm下降到了0.897 6 nm,同时有效地减轻了Cu抛光表面的划痕和腐蚀,其原因是聚氧乙烯链可以通过醚键与水分子形成氢键,在聚氧乙烯周围形成一层溶剂化的水膜保护了被吸附表面。
- 李庆忠张然郭东明
- 关键词：化学机械抛光活性剂去除率
