国家重点基础研究发展计划(513102)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
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- 钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究
- 用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)村底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原住实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X...
- 姚海军李燕罗佳慧姜斌邓宏蒋书文
- 关键词：激光分子束外延多层膜原子力显微镜
- 文献传递
- 倒筒式射频溅射自偏压对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3热释电薄膜结构及性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜。研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响。在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强。在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2.K)。红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm.Hz1/2/W。研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜。
- 刘祚麟吴传贵张万里李言荣
- 关键词：BST射频溅射热释电系数探测率
- BST薄膜漏电流温度特性研究被引量：3
- 2006年
- 采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8V）m≈1，高场下（V〉1．8V）m≈8。随着测试温度升高，在低场下电流密度增大，指数优值保持不变；而在高场下电流密度减小，指数优值减小。通过进一步分析发现：电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T，在高场下满足logJ∝1/t。
- 卢肖吴传贵张万里李言荣
- 关键词：BST薄膜漏电流温度特性
- 钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究
- 2004年
- 用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380～470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散.
- 姚海军李燕罗佳慧姜斌邓宏蒋书文
- 关键词：激光分子束外延多层膜原子力显微镜
