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山东省自然科学基金(ZR2010FQ012)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
冯尚功
郭琪
陈延湖
余曙芬
李惠军
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李惠军
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郭琪
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冯尚功
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微纳电子技术
年份
1篇
2012
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1
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基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响
被引量:1
2012年
研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。
余曙芬
陈延湖
李惠军
冯尚功
郭琪
关键词:
INGAP/GAAS
HBT
热稳定性
热阻
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