四川省应用基础研究计划项目(07JY029-087)
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
- 相关作者：蒋向东李建国曹东李大伟向斌宾更多>>
- 相关机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 退火对高阻AZO薄膜结构及紫外光电导特性的影响被引量：1
- 2010年
- 在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400℃条件下达到最优紫外响应效果。
- 曹东蒋向东李大伟孙继伟
- 关键词：AZO薄膜高温退火
- 射频磁控溅射法制备液晶光阀光导层的研究
- 2012年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势,在衬底温度为300℃,溅射功率为300W左右沉积速率达到最大,在溅射2h后沉积速率随着溅射时间的增加而下降;薄膜的光吸收系数随衬底温度的升高而增大,随溅射功率的增加而减小;交流电导率随衬底温度和溅射功率的升高而下降;薄膜在可见光范围内透过率随着H分压的增大而增大,且吸收边发生蓝移。
- 王陆一蒋向东李建国石兵
- 关键词：射频磁控溅射氢化非晶硅
- 非接触式触摸屏系统的设计被引量：1
- 2011年
- 针对目前触摸屏必须接触式控制的缺陷,提出了一种基于图像处理技术的新型触摸屏系统。该系统以微软VX—6000USB2.0摄像头为图像传感器,由PC机采集图像序列,识别和跟踪定位激光光斑,并对用户的指点控制信息做出相应反应。阐述了该系统结构及定位原理,使用基于OpenCV(open source computer vision library)的图像处理算法辅助开发其软件系统。提出一种基于边界修复的图像二次校正法,通过对训练样本的测量发现,系统拥有很好的指点精度。实验结果表明,所设计触摸屏系统能够初步实现非接触式指点的要求,为大屏幕挂壁式非接触式触摸屏系统的研究提供了有效的思路。
- 向斌宾蒋向东王继岷李建国
- 关键词：触摸屏非接触式图像校正
- 异质外延ZnO掺Ag薄膜及其异质结紫外光特性的研究被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射方法在ITO基片上外延掺Ag的ZnO薄膜,分别用XRD、SEM和紫外可见光分光光度计表征外延薄膜结构、形貌和光学性质。ZnO∶Ag/ITO薄膜伏安特性的研究表明,ZnO∶Ag与ITO形成异质结。在紫外光波长365nm、负偏压15V情况下异质结暗电流为11.2nA,光电流为198nA,灵敏度(光电流与暗电流之比)为17.7。此异质结的紫外光响应上升时间为700ms,下降时间为1.5s。
- 李大伟蒋向东谢康曹东
- 关键词：射频磁控溅射异质结
- 微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移;吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大;薄膜的折射率随着波长的增加而下降,同一波长下随着掺杂量的增加而增大,在500nm波长处折射率达到4.2以上,最大到4.6;薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大。
- 王陆一蒋向东石兵
- 关键词：硼掺杂射频磁控溅射氢化非晶硅折射率
- AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
- 2010年
- 采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列。在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异。结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的。
- 曹东蒋向东李大伟孙继伟
- 关键词：AZOZNO纳米线
- S掺杂ZnO薄膜光电特性的研究被引量：4
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上生长了ZnO:S薄膜。XRD测试表明所制薄膜为六角纤锌矿结构,具有明显的(002)衍射峰。室温下的透射光谱测量结果表明,随着S掺入量的增加,ZnO:S合金薄膜的吸收边向长波长方向移动,但在可见光部分有较高的透过率。在此基础上计算了各样品的禁带宽度,结果表明,在S掺入量小于8%的范围内,随着S掺入量的增加,禁带宽度减小。样品紫外光电导特性明显,在波长365nm、功率4000μW/cm2紫外光源照射下,紫外光与可见光所对应光电流响应之比可达3。
- 李建国蒋向东王继珉向斌宾
