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国家自然科学基金(60576066)

作品数：15 被引量：13H指数：2
相关作者：柯导明陈军宁代月花吴秀龙胡媛更多>>
相关机构：安徽大学六安职业技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇LDMOS
  • 3篇高压LDMO...
  • 2篇亚阈值
  • 2篇亚阈值特性
  • 2篇阈值电压
  • 2篇截止频率
  • 2篇功函数
  • 2篇功耗
  • 2篇宏模型
  • 2篇放大器
  • 2篇VOLTER...
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电荷泵锁相环
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构

机构

  • 15篇安徽大学
  • 2篇六安职业技术...

作者

  • 14篇柯导明
  • 12篇陈军宁
  • 6篇代月花
  • 5篇吴秀龙
  • 4篇胡媛
  • 3篇刘琦
  • 3篇高珊
  • 2篇刘磊
  • 2篇项莉萍
  • 1篇刘宁
  • 1篇洪琪
  • 1篇陈伟
  • 1篇李德君
  • 1篇孟坚
  • 1篇汪洋

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇微电子学
  • 1篇吉首大学学报...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇太原科技大学...

年份

  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 5篇2006
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型被引量：4
2007年
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.
代月花高珊柯导明陈军宁
关键词：LDMOS阈值电压
基于Volterra级数的CMOS低噪声放大器的非线性分析被引量：1
2008年
在分析CMOS低噪声放大器非线性来源的基础上,给出了度量低噪放线性度的重要指标三阶交调点(IP3),并利用Volterra级数作为分析工具研究了CMOS低噪声放大器的三阶交调失真。推导得到的结果与仿真得到的结果基本吻合。
项莉萍柯导明
关键词：CMOS低噪声放大器三阶交调VOLTERRA级数
复合多晶硅栅LDMOS的特性研究
2008年
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的p+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅。MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率。
洪琪陈军宁柯导明刘磊高珊刘琦
关键词：截止频率功函数
高压LDMOS功耗的分析被引量：1
2006年
利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟。采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况。
吴秀龙陈军宁柯导明孟坚
关键词：功耗数值模拟
Polysilicon Gate Quantum Effect Model for nanoscale MOSFET’s
＜正＞A novel polysilicon gate quantum effect model for MOSFET devices is presented.Only two fitting parameters a...
Yue-Hua DaiJun-Ning ChenDao-Ming KeYuan Hu
关键词：LEAST-SQUARES
文献传递
高压LDMOS反相器功耗的计算被引量：1
2007年
根据以前所建立的高压LDMOS宏模型,分析了用阱作为高阻漂移区的LDMOS组成的反相器,提出了计算其功耗的公式,从而解决了在高压LDMOS组成的功率集成电路设计中功耗无法估算的难题.通过半导体数值模拟软件Medici的仿真,可以得到计算结果与仿真的结果是一致的.最后根据功耗的计算公式,提出了一个减小电路功耗的方法.
吴秀龙陈军宁柯导明
关键词：LDMOS宏模型功耗功率增益
异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真被引量：2
2007年
对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.
胡媛代月花陈军宁柯导明刘琦
关键词：LDMOS器件
研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法(英文)
2007年
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.
代月花陈军宁柯导明胡媛
关键词：摄动方程亚阈值特性
复合多晶硅栅LDMOS的设计被引量：1
2006年
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。
刘琦柯导明陈军宁高珊刘磊
关键词：跨导截止频率功函数LDMOS热载流子效应
摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性
2007年
采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheetmodel)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.
代月花陈军宁柯导明
关键词：表面势
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共2页<12>
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