国家自然科学基金(19392300)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：北京科技大学中国科学院中国科学院力学研究所更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Fe-N软磁薄膜的结构和性能被引量：1
- 2002年
- 用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.
- 周剑平李丹顾有松赵春生常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁性薄膜软磁薄膜硬盘磁头材料
- 二维多裂纹弹性体的有效弹性模量被引量：1
- 1998年
- 采用严格考虑微裂纹相互作用的分析方法 ,针对微裂纹随机分布和平行分布两种情况 ,计算了无限大体中代表性体元 (RVE)的有效弹性模量 ,并与其他细观损伤理论所得结果和试验结果进行了比较 .数值计算结果表明 ,所用方法简单精确 。
- 詹世革王自强韩学礼
- 关键词：有效弹性模量
- 降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径
- 2002年
- 用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H_c成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键,在低功率200W下溅射沉积200um的薄膜,在250℃,12000 A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5％～7％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs可达2.4T,H_c<80A/m,但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H_c往往因厚度增加而增加,提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f_A为5.9％～8.5％范围内,形成a′+a″时,μ_oMs=2.2T,H_c仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。
- 李丹周剑平顾有松常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：矫顽力饱和磁化强度磁记录材料
