国家自然科学基金(60576062)
- 作品数:3 被引量:2H指数:1
- 相关作者:王占国王超席俊华刘坤季振国更多>>
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- 掺Mn硅酸锌薄膜中微量氧化锌对发光强度的影响被引量:2
- 2006年
- 利用溶胶-凝胶法结合高温热处理在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜,用XRD、SEM、UV-Vis吸收谱和PL谱测试了样品的结晶性能与光学性能,并分析了热处理温度对掺Mn硅酸锌薄膜的结晶性能和光学性能的影响.实验结果发现,ZnO的适量存在对掺Mn薄膜的发光有增强作用.进一步的分析认为,这一现象的机理可由G.G.Qin提出的量子约束-发光中心(QCLC)模型进行解释,ZnO中受激发的电子和空穴通过隧穿效应到达硅酸锌基体中复合发光,从而增强发光强度.
- 席俊华季振国刘坤王超杜鹃
- 关键词:硅酸锌氧化锌光致发光
- Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
- The wetting layers(WL) in InAs/GaAs quantum-dot system have been studied by reflectance difference spectroscop...
- Yonghai ChenChenguang TangBo XuPeng JinZhanguo Wang
- InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
- 2007年
- 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.
- 杨新荣徐波王占国任芸芸焦玉恒梁凌燕汤晨光
- 关键词:INP基激光器
- In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散
- 2007年
- 离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.
- 周慧英曲胜春刘俊朋王占国
- 关键词:离子注入各向异性扩散